ચુંબકીય ક્ષેત્રમાં ગતિ કરતા વિદ્યુતભારિત કણ પર લાગતું પરિણામી બળ:

$m$ દળ અને $q$ વિદ્યુતભાર ધરાવતો એક ઇલેક્ટ્રોન $B$ તીવ્રતા ધરાવતા સમાન ચુંબકીય ક્ષેત્રને લંબ $v$ ઝડપથી $r$ ત્રિજ્યાના વર્તુળાકાર પથ પર ગતિ કરે છે. જો ઇલેક્ટ્રોનની ઝડપ બમણી કરવામાં આવે અને ચુંબકીય ક્ષેત્ર અડધું કરવામાં આવે,તો પરિણામી પથની ત્રિજ્યા કેટલી થશે?

એક ઇલેક્ટ્રોન આકૃતિમાં દર્શાવ્યા મુજબ ચાર્જ થયેલ કેપેસિટરની પ્લેટો વચ્ચેની જગ્યામાં પ્રવેશે છે. પ્લેટો પરની પૃષ્ઠ ઘનતા $\sigma$ છે. પ્લેટો વચ્ચેની જગ્યામાં વિદ્યુતક્ષેત્રની તીવ્રતા $E$ છે. આ જગ્યામાં $E$ ની દિશાને લંબરૂપે એક સમાન ચુંબકીય ક્ષેત્ર $B$ પણ અસ્તિત્વ ધરાવે છે. ઇલેક્ટ્રોન $\overrightarrow{E}$ અને $\overrightarrow{B}$ બંનેને લંબરૂપે દિશામાં કોઈ પણ ફેરફાર વગર ગતિ કરે છે. ઇલેક્ટ્રોનને આ જગ્યામાં $l$ અંતર કાપવા માટે લાગતો સમય કેટલો હશે?

નીચેની આકૃતિ એક ઇલેક્ટ્રોનનો માર્ગ દર્શાવે છે જે $B_1$ અને $B_2$ મૂલ્યના સમાન ચુંબકીય ક્ષેત્રો ધરાવતા બે પ્રદેશોમાંથી પસાર થાય છે. દરેક પ્રદેશમાં તેનો માર્ગ અર્ધવર્તુળાકાર છે. સાચો વિકલ્પ પસંદ કરો.

ઇલેક્ટ્રોન $1.5 \times 10^{-2} \text{ T}$ ના ચુંબકીય ક્ષેત્રને લંબરૂપે $6 \times 10^7 \text{ m/s}$ ની ઝડપથી ગતિ કરે છે. જો ઇલેક્ટ્રોનનો વિશિષ્ટ વીજભાર $1.7 \times 10^{11} \text{ C/kg}$ હોય,તો વર્તુળાકાર પથની ત્રિજ્યા ...... $\text{cm}$ થશે.

$1 \text{ MeV}$ ગતિઊર્જા ધરાવતો $\alpha$-કણ સમાન ચુંબકીય ક્ષેત્રમાં વર્તુળાકાર પથ પર ગતિ કરે છે. તે જ ચુંબકીય ક્ષેત્રમાં બમણી ત્રિજ્યાના વર્તુળાકાર પથ પર ગતિ કરવા માટે પ્રોટોનની ગતિઊર્જા $..... \text{ MeV}$ હશે.