$d$ જાડાઈ ધરાવતી ડાયલેક્ટ્રિક સ્લેબને સમાંતર પ્લેટ કેપેસિટરમાં દાખલ કરવામાં આવે છે,જેની ઋણ પ્લેટ $x = 0$ પર અને ધન પ્લેટ $x = 3d$ પર છે. સ્લેબ પ્લેટોથી સમાન અંતરે છે. કેપેસિટરને થોડો વિદ્યુતભાર આપવામાં આવે છે. જેમ આપણે $x = 0$ થી $x = 3d$ તરફ જઈએ છીએ તેમ:

આકૃતિમાં,એક કેપેસિટરને $K_1$,$K_2$ અને $K_3$ ડાયઇલેક્ટ્રિક અચળાંકો વડે ભરવામાં આવેલ છે. પરિણામી કેપેસિટન્સ કેટલું હશે?

બે સમાન સમાંતર પ્લેટ એર કેપેસિટરને $V$ emf ધરાવતી બેટરી સાથે શ્રેણીમાં જોડવામાં આવે છે. જો એક કેપેસિટરને $K$ ડાયઇલેક્ટ્રિક અચળાંક ધરાવતા પદાર્થથી સંપૂર્ણપણે ભરવામાં આવે,તો બીજા કેપેસિટર પરનો વિદ્યુતસ્થિતિમાનનો તફાવત કેટલો થશે?

એક સમાંતર પ્લેટ કેપેસિટરની પ્લેટો વચ્ચેનું અંતર અડધું કરવામાં આવે છે અને પ્લેટોની વચ્ચે $10$ સાપેક્ષ પરમિટિવિટી ધરાવતું ડાયલેક્ટ્રિક માધ્યમ દાખલ કરવામાં આવે છે. કેપેસિટરના અંતિમ અને પ્રારંભિક કેપેસીટન્સનો ગુણોત્તર કેટલો થાય?

$10 \mu F$ કેપેસિટન્સ ધરાવતું કેપેસિટર,જેની પ્લેટો હવા દ્વારા $10 \text{ mm}$ અંતરે અલગ થયેલી છે અને દરેક પ્લેટનું ક્ષેત્રફળ $4 \text{ cm}^2$ છે,તેને આકૃતિમાં દર્શાવ્યા મુજબ $K_1=2$ અને $K_2=3$ ના બે ડાયલેક્ટ્રિક માધ્યમોથી સમાન રીતે ભરવામાં આવે છે. જો પ્લેટો વચ્ચેનું નવું બળ $8 \text{ N}$ હોય,તો સપ્લાય વોલ્ટેજ . . . . . . $V$ છે.

એક સમાંતર પ્લેટ કેપેસિટરને બેટરી સાથે અવરોધરહિત સર્કિટમાં જોડવામાં આવે છે જ્યાં સુધી કેપેસિટર સંપૂર્ણ ચાર્જ ન થાય. ત્યારબાદ બેટરીને સર્કિટમાંથી દૂર કરવામાં આવે છે અને ઇન્સ્યુલેટેડ ગ્લવ્સનો ઉપયોગ કરીને કેપેસિટરની પ્લેટોને તેમની મૂળ અંતર કરતા અડધા અંતરે ખસેડવામાં આવે છે. ધારો કે $V_{new}$ એ પ્લેટો ખસેડ્યા પછી કેપેસિટરની પ્લેટો વચ્ચેનો વિદ્યુતસ્થિતિમાનનો તફાવત છે અને $V_{old}$ એ જ્યારે તે બેટરી સાથે જોડાયેલું હતું ત્યારે કેપેસિટરની પ્લેટો વચ્ચેનો વિદ્યુતસ્થિતિમાનનો તફાવત છે. ગુણોત્તર $\frac{V_{new}}{V_{old}}$ શોધો.