એક સમાંતર પ્લેટ કેપેસિટરની પ્લેટો વચ્ચેનું વિદ્યુતક્ષેત્ર $10^5 \, V/m$ છે. જો કેપેસિટરની પ્લેટ પરનો વિદ્યુતભાર $1 \, \mu C$ હોય,તો દરેક કેપેસિટર પ્લેટ પર લાગતું બળ ...... $N$ છે.

એક ચાર્જ થયેલ સમાંતર પ્લેટ કેપેસિટરની અવાહક પ્લેટો (પ્લેટો વચ્ચેનું અંતર ઓછું છે) સ્થિત-વિદ્યુત આકર્ષણને કારણે એકબીજાની નજીક આવી રહી છે. કોઈ અન્ય બળ કાર્યરત નથી અને કોઈ વિકિરણ થતું નથી તેમ ધારીને, નીચેનામાંથી કયો આલેખ પ્લેટો વચ્ચેના વિદ્યુતસ્થિતિમાનના તફાવત $(V)$ નો સમય $(t)$ સાથેનો ફેરફાર આશરે દર્શાવે છે?

બે સમાન પાતળી ધાતુની પ્લેટો પર અનુક્રમે $q_{1}$ અને $q_{2}$ વિદ્યુતભાર છે,જેથી $q_{1} > q_{2}$ થાય. આ પ્લેટોને એકબીજાની નજીક લાવીને $C$ કેપેસિટન્સ ધરાવતું સમાંતર પ્લેટ કેપેસિટર બનાવવામાં આવે છે. તેમની વચ્ચેનો વિદ્યુતસ્થિતિમાનનો તફાવત કેટલો હશે?

$10 \ cm$ ત્રિજ્યા ધરાવતી બે વર્તુળાકાર પ્લેટો ધરાવતા સમાંતર પ્લેટ કેપેસિટરને $0.15 \ A$ ના અચળ પ્રવાહ દ્વારા ચાર્જ કરવામાં આવે છે. જો પ્લેટો વચ્ચેના વિદ્યુતસ્થિતિમાનના તફાવતમાં થતો ફેરફારનો દર $7 \times 10^8 \ V/s$ હોય,તો સમાંતર પ્લેટો વચ્ચેના અંતરનું પૂર્ણાંક મૂલ્ય $—$ (લો $\epsilon_0 = 9 \times 10^{-12} \ F/m, \pi = 22/7$) . . . . . . $\mu m$ છે.

એક સમાંતર પ્લેટ કેપેસિટરની દરેક પ્લેટનું ક્ષેત્રફળ $100 \, cm^2$ છે અને પ્લેટો વચ્ચેનું અંતર $1 \, mm$ છે. તે $6$ ડાયઇલેક્ટ્રિક અચળાંક ધરાવતા માઈકાથી ભરેલું છે. તો આ કેપેસિટરની સમતુલ્ય કેપેસિટન્સ ધરાવતા ગોળાની ત્રિજ્યા .......$m$ થશે.

બે સમાન ધાતુની પ્લેટોને અનુક્રમે $q_1$ અને $q_2$ $(q_2 < q_1)$ વિદ્યુતભારો આપવામાં આવે છે. જો તેમને હવે નજીક લાવીને $C$ કેપેસિટન્સ ધરાવતું સમાંતર પ્લેટ કેપેસિટર બનાવવામાં આવે,તો પ્લેટો વચ્ચેનો વિદ્યુતસ્થિતિમાનનો તફાવત $V$ કેટલો હશે?