આકૃતિમાં દર્શાવ્યા મુજબ એક સમાંતર પ્લેટ કેપેસિટર બે ડાયલેક્ટ્રિક સ્તરો ધરાવે છે. આ કેપેસિટરને બેટરી સાથે જોડવામાં આવે છે. ડાયલેક્ટ્રિક સ્તરો વચ્ચેના વિદ્યુતસ્થિતિમાનના તફાવતનો ગુણોત્તર $(V_1/V_2)$ કેટલો થશે?

એક કેપેસિટરને ચાર્જ કરવામાં આવે છે. જ્યારે તેમાં $4 \times 10^{-5} \ m$ જાડાઈની ડાઇઇલેક્ટ્રિક પ્લેટ મૂકવામાં આવે છે,ત્યારે વોલ્ટેજ સમાન રાખવા માટે બે પ્લેટો વચ્ચેનું અંતર $3.5 \times 10^{-5} \ m$ જેટલું વધારવું પડે છે. તો ડાઇઇલેક્ટ્રિકનો ડાઇઇલેક્ટ્રિક અચળાંક $K$ કેટલો હશે?

એક વિદ્યુતભારિત વાહક શૂન્યાવકાશમાં તેની સપાટીની બરાબર બહાર $10^3 \ V/m$ તીવ્રતાનું વિદ્યુતક્ષેત્ર ઉત્પન્ન કરે છે. જ્યારે તેને $4$ ડાયઇલેક્ટ્રિક અચળાંક ધરાવતા માધ્યમમાં મૂકવામાં આવે છે,ત્યારે તે તેની સપાટીની બહાર $E$ તીવ્રતાનું વિદ્યુતક્ષેત્ર ઉત્પન્ન કરે છે. $E$ નું મૂલ્ય કેટલું હશે ($V/m$ માં)?

પ્લેટ ક્ષેત્રફળ $A$ અને પ્લેટ વચ્ચેનું અંતર $d$ ધરાવતા સમાંતર પ્લેટ કેપેસિટરને $K = 4$ ડાયઇલેક્ટ્રિક અચળાંક ધરાવતા ડાયઇલેક્ટ્રિક પદાર્થથી ભરવામાં આવે છે. ડાયઇલેક્ટ્રિક પદાર્થની જાડાઈ $x$ છે,જ્યાં $x < d$ છે.
ધારો કે $x = \frac{d}{3}$ અને $x = \frac{2d}{3}$ માટે સિસ્ટમનું કેપેસીટન્સ અનુક્રમે $C_1$ અને $C_2$ છે. જો $C_1 = 2 \mu F$ હોય,તો $C_2$ નું મૂલ્ય $........... \mu F$ છે.

એક સમાંતર પ્લેટ કેપેસિટરની પ્લેટો વચ્ચેનું અંતર $0.885$ mm છે. જ્યારે પ્લેટો વચ્ચેની જગ્યા $1 \times 10^{13}$ $\Omega$m અવરોધકતા અને $17.7 \times 10^{14}$ $\Omega$ અવરોધ ધરાવતા અવાહક પદાર્થથી ભરવામાં આવે છે, ત્યારે તેનું કેપેસિટન્સ $1$ $\mu$$F$ થાય છે. અવાહક પદાર્થની સાપેક્ષ પરમિટિવિટી $\alpha \times 10^7$ છે. $\alpha$ નું મૂલ્ય . . . . . . છે. (મુક્ત અવકાશની પરમિટિવિટી $\epsilon_0 = 8.85 \times 10^{-12}$ $F$/m લો)

એક સમાંતર પ્લેટ કેપેસિટરની બે પ્લેટોની વચ્ચે અને તેમને સમાંતર એક તાંબાની શીટ મૂકવામાં આવે છે,જે પ્લેટોને સ્પર્શતી નથી. તાંબાની શીટ દાખલ કર્યા પછી કેપેસિટરની કેપેસીટન્સ: