આકૃતિમાં દર્શાવ્યા મુજબ $A$ ક્ષેત્રફળ,$d$ પ્લેટ અંતર અને $C$ કેપેસિટન્સ ધરાવતા સમાંતર પ્લેટ કેપેસિટરમાં $K_1, K_2, K_3$ અને $K_4$ ડાયઇલેક્ટ્રિક અચળાંક ધરાવતા ચાર ડાયઇલેક્ટ્રિક પદાર્થો ભરવામાં આવ્યા છે. જો આ કેપેસિટરમાં સમાન કેપેસિટન્સ $C$ મેળવવા માટે એક જ ડાયઇલેક્ટ્રિક પદાર્થનો ઉપયોગ કરવામાં આવે,તો તેનો ડાયઇલેક્ટ્રિક અચળાંક $K$ કેટલો હશે?

એક સમાંતર પ્લેટ કેપેસિટર સેટઅપમાં,કેપેસિટરનું પ્લેટ ક્ષેત્રફળ $2 \, m^{2}$ છે અને પ્લેટો વચ્ચેનું અંતર $1 \, m$ છે. જો પ્લેટો વચ્ચેની જગ્યા $0.5 \, m$ જાડાઈ અને $2 \, m^{2}$ ક્ષેત્રફળ ધરાવતા ડાયલેક્ટ્રિક પદાર્થથી ભરવામાં આવે (આકૃતિ જુઓ),તો સેટઅપનું કેપેસિટન્સ $......... \, \varepsilon_{0}$ થશે. (પદાર્થનો ડાયલેક્ટ્રિક અચળાંક $= 3.2$) (નજીકના પૂર્ણાંકમાં રાઉન્ડ ઓફ કરો).

બે સમાન સમાંતર પ્લેટ કેપેસિટર,દરેકની કેપેસીટન્સ $C$ છે,જેની પ્લેટોનું ક્ષેત્રફળ $A$ છે અને તેમની વચ્ચેનું અંતર $d$ છે. બે કેપેસિટરની પ્લેટો વચ્ચેની જગ્યાને સમાન જાડાઈ અને ડાયઇલેક્ટ્રિક અચળાંક $K_1$,$K_2$ અને $K_3$ ધરાવતા ત્રણ ડાયઇલેક્ટ્રિક પદાર્થો વડે ભરવામાં આવે છે. પ્રથમ કેપેસિટર આકૃતિ $I$ માં દર્શાવ્યા મુજબ અને બીજું આકૃતિ $II$ માં દર્શાવ્યા મુજબ ભરવામાં આવે છે. જો આ બે સુધારેલા કેપેસિટરોને સમાન સ્થિતિમાન $V$ દ્વારા ચાર્જ કરવામાં આવે,તો બંનેમાં સંગ્રહિત ઉર્જાનો ગુણોત્તર કેટલો થશે? ($E_1$ એ કેપેસિટર $(I)$ માટે અને $E_2$ એ કેપેસિટર $(II)$ માટે છે)

વિધાન : એક સમાંતર પ્લેટ કેપેસિટરને કી દ્વારા બેટરી સાથે જોડવામાં આવે છે. પ્લેટોની વચ્ચે $K$ ડાયલેક્ટ્રિક અચળાંક ધરાવતી ડાયલેક્ટ્રિક સ્લેબ દાખલ કરવામાં આવે છે. સંગ્રહિત ઉર્જા $K$ ગણી થાય છે.
કારણ : પ્લેટ પર વિદ્યુતભારની પૃષ્ઠ ઘનતા અચળ અથવા બદલાતી નથી.

એક સમાંતર પ્લેટ કેપેસિટરને ચાર્જ કરવામાં આવે છે અને ત્યારબાદ ચાર્જિંગ બેટરીને દૂર કરવામાં આવે છે. જો કેપેસિટરની પ્લેટોને ઇન્સ્યુલેટીંગ હેન્ડલ્સની મદદથી એકબીજાથી દૂર કરવામાં આવે,તો

$d$ પ્લેટ અંતર ધરાવતા સમાંતર પ્લેટ એર કેપેસિટરમાં,$t$ જાડાઈની ડાયઇલેક્ટ્રિક સ્લેબ પ્લેટોની વચ્ચે દાખલ કરવામાં આવે છે $(t < d)$. કેપેસીટન્સ મૂળ મૂલ્યના એક-તૃતીયાંશ થઈ જાય છે. સ્લેબનો ડાયઇલેક્ટ્રિક અચળાંક કેટલો હશે?