$d$ પ્લેટ અંતર ધરાવતા સમાંતર પ્લેટ એર કેપેસિટરમાં,$t$ જાડાઈની ડાયઇલેક્ટ્રિક સ્લેબ પ્લેટોની વચ્ચે દાખલ કરવામાં આવે છે $(t < d)$. કેપેસીટન્સ મૂળ મૂલ્યના એક-તૃતીયાંશ થઈ જાય છે. સ્લેબનો ડાયઇલેક્ટ્રિક અચળાંક કેટલો હશે?

બે સમાન કેપેસિટર $M$ અને $N$ ને બેટરી સાથે શ્રેણીમાં જોડવામાં આવે છે. $M$ ની પ્લેટો વચ્ચેની જગ્યા સંપૂર્ણપણે $8$ ડાયઇલેક્ટ્રિક અચળાંક ધરાવતા ડાયઇલેક્ટ્રિક માધ્યમથી ભરવામાં આવે છે અને $N$ ની પ્લેટો વચ્ચે $d/2$ જાડાઈની તાંબાની પ્લેટ મૂકવામાં આવે છે ($d$ એ પ્લેટો વચ્ચેનું અંતર છે). તો $M$ અને $N$ ના બે છેડા વચ્ચેના વિદ્યુતસ્થિતિમાનનો તફાવત અનુક્રમે કયા ગુણોત્તરમાં હશે?

હવામાં રહેલા સમાંતર પ્લેટ કેપેસિટરની કેપેસિટન્સ $2 \ pF$ છે. જો પ્લેટો વચ્ચેનું અંતર બમણું કરવામાં આવે અને પ્લેટો વચ્ચેની જગ્યામાં ડાયઇલેક્ટ્રિક પદાર્થ ભરવામાં આવે,તો કેપેસિટન્સ વધીને $6 \ pF$ થાય છે. તો તે પદાર્થનો ડાયઇલેક્ટ્રિક અચળાંક કેટલો હશે?

સમાંતર પ્લેટ કેપેસિટરની પ્લેટો વચ્ચે $d/2$ જાડાઈનું કોપરનું ચોસલું દાખલ કરવામાં આવે છે,જ્યાં $d$ એ તેની બે પ્લેટો વચ્ચેનું અંતર છે. જો કોપરના ચોસલા વગર કેપેસિટરનું કેપેસિટન્સ $C$ હોય અને કોપરના ચોસલા સાથે $C'$ હોય,તો $C'/C$ નો ગુણોત્તર શોધો.

એક કેપેસિટરનું કેપેસિટન્સ $15\ \mu F$ અને પ્લેટો વચ્ચેનું અંતર $2\ mm$ છે. જો પ્લેટોની વચ્ચે $K = 2$ ડાયઇલેક્ટ્રિક અચળાંક અને $t = 1\ mm$ જાડાઈ ધરાવતી ડાયઇલેક્ટ્રિક સ્લેબ મૂકવામાં આવે,તો નવું કેપેસિટન્સ કેટલું થશે ($\mu F$ માં)?

એક સમાંતર પ્લેટ એર કેપેસિટરની કેપેસીટન્સ $C$ ફેરાડે,પોટેન્શિયલ $V$ વોલ્ટ અને ઉર્જા $E$ જુલ છે. જ્યારે પ્લેટો વચ્ચેની જગ્યા સંપૂર્ણપણે ડાયઇલેક્ટ્રિક પદાર્થ (ડાયઇલેક્ટ્રિક અચળાંક $K > 1$) થી ભરવામાં આવે છે,ત્યારે પોટેન્શિયલ $V$ અને ઉર્જા $E$ નું શું થાય છે?