P-N जंक्शन पर 0.50 V का विभव प्राचीर (potent | vedclass

Name: Exam Paper Generator | JEE NEET Paper Generator | Vedclass
Brand: Vedclass
Rating: 5 (35 reviews)

Question

(A) अवक्षय परत में विद्युत क्षेत्र $E$ को सूत्र $E = \frac{V}{d}$ द्वारा ज्ञात किया जाता है,जहाँ $V$ विभव प्राचीर है और $d$ अवक्षय परत की चौड़ाई है।दि

Vedclass · Accepted Answer

$1.0 	imes 10^6 \ V/m$

Vedclass · Answer

(A) अवक्षय परत में विद्युत क्षेत्र $E$ को सूत्र $E = \frac{V}{d}$ द्वारा ज्ञात किया जाता है,जहाँ $V$ विभव प्राचीर है और $d$ अवक्षय परत की चौड़ाई है।दिया गया है:विभव प्राचीर $V = 0.50 \ V$अवक्षय परत की चौड़ाई $d = 5.0 	imes 10^{-7} \ m$इन मानों को सूत्र में रखने पर:$E = \frac{0.50}{5.0 	imes 10^{-7}}$$E = \frac{0.50}{5.0} 	imes 10^7$$E = 0.1 	imes 10^7 \ V/m$$E = 1.0 	imes 10^6 \ V/m$अतः,विद्युत क्षेत्र की तीव्रता $1.0 	imes 10^6 \ V/m$ है।

Similar Questions

यदि नीचे दिए गए परिपथ में डायोड आदर्श हैं,तो सेल से होकर बहने वाली धारा क्या है ($A$ में)?

अवक्षय परत (depletion layer) की चौड़ाई लगभग ....... होती है।

निम्नलिखित आकृति में,कौन से डायोड फॉरवर्ड बायस में हैं?

जब एक $p-n$ जंक्शन पर फॉरवर्ड बायस लगाया जाता है,तो यह

Vedclass Test Series

Exam Paper Generator

Online Exam Module