એક સેમિકન્ડક્ટર $(Ge - As)$ નો એનર્જી ગેપ $1.43\, eV$ છે. જ્યારે આવા સેમિકન્ડક્ટરમાં હોલ અને ઈલેક્ટ્રોનનું પુનઃસંયોજન થાય ત્યારે ઉત્સર્જિત થતી મહત્તમ તરંગલંબાઈ $\mathring{A}$ માં કેટલી હશે?

  • A
    $4562$
  • B
    $9874$
  • C
    $8671$
  • D
    $16342$

Explore More

Similar Questions

રિવર્સ બાયસ્ડ $p-n$ જંકશન ડાયોડમાં બ્રેકડાઉન થવાની શક્યતા શેના કારણે વધુ હોય છે?

આપેલ પરિપથ માટે $V_{AB} = ......V$ શોધો.

અનબાયસ્ડ $p-n$ જંકશન ડાયોડના જંકશન નજીકના વિસ્તારને ડેપ્લેશન લેયર તરીકે ઓળખવામાં આવે છે. આ લેયરમાં શેનો અભાવ હોય છે?

નીચેનામાંથી કઈ આકૃતિમાં ડાયોડ રિવર્સ બાયસ (reverse biased) છે?

$p-n$ જંકશન ડાયોડમાં બેરિયર પોટેન્શિયલ અને ડેપ્લેશન રીજન (અવક્ષય વિસ્તાર) સમજાવો.

Vedclass Products

For Students

Vedclass Test Series

Mock tests in real JEE/NEET style with performance analysis. 5-day free trial.

Start Free Trial
For Teachers

Exam Paper Generator

Generate Set A/B/C/D exam papers from 7.5L+ questions in 2 minutes. 3 chapters free.

Try Free
For Institutes

Online Exam Module

Live online exams with unlimited students, 360° analytics & white-label branding.

See Demo