$x$-દિશામાં ગતિ કરતા વિદ્યુતચુંબકીય તરંગનું ક્ષેત્ર સમીકરણ $E_y = 300 \sin \omega \left( t - \frac{x}{c} \right)$ છે. જો ઇલેક્ટ્રોન ફક્ત $y$-દિશામાં $1.5 \times 10^6 \text{ m/s}$ ની ઝડપથી ગતિ કરવા માટે મર્યાદિત હોય, તો ઇલેક્ટ્રોન પર લાગતા મહત્તમ વિદ્યુત અને ચુંબકીય બળોનો ગુણોત્તર . . . . . . છે.

નીચે બે વિધાનો આપેલા છે: એકને વિધાન $(A)$ તરીકે અને બીજાને કારણ $(R)$ તરીકે લેબલ કરવામાં આવ્યું છે.
વિધાન $(A):$ વિદ્યુતચુંબકીય તરંગો ઉર્જા ધરાવે છે પરંતુ વેગમાન ધરાવતા નથી.
કારણ $(R):$ ફોટોનનું દળ શૂન્ય છે.
ઉપરના વિધાનોના પ્રકાશમાં,નીચે આપેલા વિકલ્પોમાંથી સૌથી યોગ્ય જવાબ પસંદ કરો:

એક સમતલ વિદ્યુતચુંબકીય તરંગનું ચુંબકીય ક્ષેત્ર $\vec B = B_0 \hat i \cos(kz - \omega t) + B_1 \hat j \cos(kz - \omega t)$ દ્વારા આપવામાં આવે છે,જ્યાં $B_0 = 3 \times 10^{-5} \, T$ અને $B_1 = 2 \times 10^{-6} \, T$ છે. $z = 0$ પર સ્થિર રહેલા વિદ્યુતભાર $Q = 10^{-4} \, C$ પર લાગતા બળનું rms મૂલ્ય કોની નજીક છે?

બધા જ વિદ્યુતચુંબકીય તરંગો ઉર્જાનું વહન ઋણ $z$ દિશામાં કરે છે. કોઈ ચોક્કસ બિંદુ અને સમયે તરંગના વિદ્યુતક્ષેત્રની દિશા ધન $y$ દિશામાં છે. તે બિંદુ અને સમયે તરંગના ચુંબકીય ક્ષેત્રની દિશા કઈ હશે?

નીચે બે વિધાનો આપેલા છે:
વિધાન $I$: વિદ્યુતચુંબકીય તરંગો અવકાશમાં ગતિ કરે ત્યારે ઉર્જાનું વહન કરે છે અને આ ઉર્જા વિદ્યુત અને ચુંબકીય ક્ષેત્રો દ્વારા સમાન રીતે વહેંચાયેલી હોય છે.
વિધાન $II$: જ્યારે વિદ્યુતચુંબકીય તરંગો સપાટી પર અથડાય છે,ત્યારે સપાટી પર દબાણ ઉત્પન્ન થાય છે.
ઉપરના વિધાનોના પ્રકાશમાં,નીચે આપેલા વિકલ્પોમાંથી સૌથી યોગ્ય જવાબ પસંદ કરો:

જ્યારે $\mu_r$ અને $\epsilon_r$ અનુક્રમે સાપેક્ષ પરમીએબિલિટી અને સાપેક્ષ પરમિટિવિટી (ડાઈઈલેક્ટ્રિક અચળાંક) હોય,ત્યારે વક્રીભવનાંક નીચેનામાંથી કયો છે?