दिए गए अणुओं में आयनिक गुण के बढ़ते क्रम में बंधों को व्यवस्थित करें: $LiF, K_2O, N_2, SO_2$ और $ClF_3$.

(N/A) बंध का आयनिक गुण बंधित परमाणुओं के बीच विद्युत ऋणात्मकता (electronegativity) के अंतर पर निर्भर करता है। विद्युत ऋणात्मकता का अंतर जितना अधिक होगा,आयनिक गुण उतना ही अधिक होगा।
आयनिक गुण का बढ़ता क्रम: $N_2 < ClF_3 < SO_2 < K_2O < LiF$

$N_2$	$100 \%$ सहसंयोजक (समान परमाणु),$0 \%$ आयनिक।
$SO_2$	विद्युत ऋणात्मकता का अंतर: $|3.5 - 2.5| = 1.0$।
$ClF_3$	विद्युत ऋणात्मकता का अंतर: $|4.0 - 3.0| = 1.0$।
$K_2O$	विद्युत ऋणात्मकता का अंतर: $|3.5 - 0.8| = 2.7$ (अत्यधिक आयनिक)।
$LiF$	विद्युत ऋणात्मकता का अंतर: $|4.0 - 1.0| = 3.0$ (अधिकतम आयनिक गुण)।

$SO_2$ और $ClF_3$ की तुलना करने पर (दोनों में $\Delta EN = 1.0$ है): फजान के नियम के अनुसार,छोटे धनायन और बड़े ऋणायन सहसंयोजक गुण को बढ़ाते हैं। $S^{2+}$,$Cl^{+}$ से छोटा है और $O^{2-}$,$F^{-}$ से बड़ा है,जिससे $ClF_3$,$SO_2$ की तुलना में अधिक सहसंयोजक है। अतः,$SO_2$ में $ClF_3$ की तुलना में थोड़ा अधिक आयनिक गुण होता है।