कथन $(A)$: $Si$ और $GaAs$ सौर सेल के लिए पसंदीदा सामग्री हैं।
कारण $(R)$: इन दोनों सामग्रियों के ऊर्जा बैंड अंतराल सौर स्पेक्ट्रम में अधिकतम सौर विकिरण के अनुरूप ऊर्जा स्तर से काफी नीचे हैं।
कारण $(R)$: इन दोनों सामग्रियों के ऊर्जा बैंड अंतराल सौर स्पेक्ट्रम में अधिकतम सौर विकिरण के अनुरूप ऊर्जा स्तर से काफी नीचे हैं।
- A$(A)$ सही है लेकिन $(R)$ गलत है।
- B$(A)$ और $(R)$ दोनों सही हैं और $(R)$, $(A)$ की सही व्याख्या है।
- C$(A)$ और $(R)$ दोनों सही हैं लेकिन $(R)$, $(A)$ की सही व्याख्या नहीं है।
- D$(A)$ और $(R)$ दोनों गलत हैं।
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कथन: रिवर्स बायस वाले $p-n$ जंक्शन का उपयोग प्रकाश की तीव्रता को मापने के लिए फोटो-डायोड के रूप में किया जा सकता है।
कारण: रिवर्स बायस स्थिति में धारा कम होती है लेकिन यह आपतित प्रकाश की तीव्रता में परिवर्तन के प्रति अधिक संवेदनशील होती है।
कारण: रिवर्स बायस स्थिति में धारा कम होती है लेकिन यह आपतित प्रकाश की तीव्रता में परिवर्तन के प्रति अधिक संवेदनशील होती है।
एक फोटोडिटेक्टर $In_{0.53}Ga_{0.47}As$ अर्धचालक से बना है जिसका $E_g = 0.73 \, eV$ है। यह अधिकतम कितनी तरंगदैर्ध्य का पता लगा सकता है ($nm$ में)?
Medium
View Solutionयदि एक अर्धचालक फोटोडायोड $400\, nm$ की अधिकतम तरंगदैर्ध्य वाले फोटॉन का पता लगा सकता है, तो इसकी बैंड गैप ऊर्जा क्या होगी ($ eV$ में)? (दिया गया है: प्लांक नियतांक $h = 6.63 \times 10^{-34}\, J \cdot s$, प्रकाश की गति $c = 3 \times 10^{8}\, m/s$)
निम्नलिखित में से बेमेल को पहचानें।
इन्फ्रारेड $LED$ के निर्माण में प्रयुक्त सामग्री है
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