વિધાન $(A)$: $Si$ અને $GaAs$ એ સોલર સેલ માટે પસંદગીના પદાર્થો છે.
કારણ $(R)$: આ બંને પદાર્થોના એનર્જી બેન્ડ ગેપ સૌર વર્ણપટમાં મહત્તમ સૌર વિકિરણને અનુરૂપ ઉર્જા સ્તર કરતા ઘણા નીચે છે.

  • A
    $(A)$ સાચું છે પરંતુ $(R)$ ખોટું છે.
  • B
    $(A)$ અને $(R)$ બંને સાચા છે અને $(R)$ એ $(A)$ ની સાચી સમજૂતી છે.
  • C
    $(A)$ અને $(R)$ બંને સાચા છે પરંતુ $(R)$ એ $(A)$ ની સાચી સમજૂતી નથી.
  • D
    $(A)$ અને $(R)$ બંને ખોટા છે.

Explore More

Similar Questions

નીચે બે વિધાનો આપેલા છે: એકને વિધાન $A$ (Assertion) તરીકે અને બીજાને કારણ $R$ (Reason) તરીકે લેબલ કરવામાં આવ્યું છે.
વિધાન $A$: પ્રકાશની તીવ્રતા માપવા માટે ફોટોડાયોડને રિવર્સ બાયસ સ્થિતિમાં ચલાવવામાં આવે છે.
કારણ $R$: $p-n$ જંકશન ડાયોડ માટે ફોરવર્ડ બાયસમાં પ્રવાહ રિવર્સ બાયસ કરતા વધારે હોય છે.
ઉપરોક્ત વિધાનોના પ્રકાશમાં,નીચે આપેલા વિકલ્પોમાંથી સાચો જવાબ પસંદ કરો:

$LED$ ની મહત્તમ રેટ કરેલ પાવર $2 \text{ mW}$ છે અને તે નીચેની આકૃતિમાં દર્શાવ્યા મુજબ $5 \text{ V}$ ના ઇનપુટ વોલ્ટેજ સાથે સર્કિટમાં વપરાય છે. અવરોધ $R$ માંથી વહેતો પ્રવાહ $0.5 \text{ mA}$ છે. $LED$ ને નુકસાન ન થાય તે સુનિશ્ચિત કરવા માટે અવરોધ $R_S$ નું લઘુત્તમ મૂલ્ય . . . . . . $\text{k}\Omega$ છે.

એક $LED$ (Light Emitting Diode) એ $Ga-As-P$ સેમિકન્ડક્ટર મટિરિયલના $p-n$ જંકશનથી બનેલું છે,જેનો એનર્જી ગેપ $1.9\, eV$ છે. ઉત્સર્જિત પ્રકાશની તરંગલંબાઇ કેટલી હશે?

નીચેનામાંથી કઈ સંજ્ઞા ફોટોડાયોડ દર્શાવે છે?

$LED$ એ એક $p-n$ જંકશન ડાયોડ છે જે

Vedclass Products

For Students

Vedclass Test Series

Mock tests in real JEE/NEET style with performance analysis. 5-day free trial.

Start Free Trial
For Teachers

Exam Paper Generator

Generate Set A/B/C/D exam papers from 7.5L+ questions in 2 minutes. 3 chapters free.

Try Free
For Institutes

Online Exam Module

Live online exams with unlimited students, 360° analytics & white-label branding.

See Demo