कथन: एक $P-N$ जंक्शन डायोड का उपयोग प्रकाश की तीव्रता का पता लगाने के लिए रिवर्स बायस में किया जाता है।
कारण: रिवर्स बायस स्थिति में,धारा कम होती है लेकिन यह आपतित प्रकाश की तीव्रता में परिवर्तन के प्रति अधिक संवेदनशील होती है।
कारण: रिवर्स बायस स्थिति में,धारा कम होती है लेकिन यह आपतित प्रकाश की तीव्रता में परिवर्तन के प्रति अधिक संवेदनशील होती है।
- Aकथन और कारण दोनों सत्य हैं और कारण,कथन की सही व्याख्या है।
- Bकथन और कारण दोनों सत्य हैं लेकिन कारण,कथन की सही व्याख्या नहीं है।
- Cकथन सत्य है लेकिन कारण असत्य है।
- Dकथन और कारण दोनों असत्य हैं।
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एक ऐसी स्थिति पर विचार करें जिसमें एक विशिष्ट $P-N$ जंक्शन का रिवर्स बायस करंट तब बढ़ जाता है जब इसे $\lambda \le 621 \, nm$ तरंगदैर्ध्य के प्रकाश के संपर्क में लाया जाता है। इस प्रक्रिया के दौरान,होल-इलेक्ट्रॉन जोड़े के निर्माण के कारण वाहक सांद्रता में वृद्धि होती है। बैंड गैप का मान लगभग है ($eV$ में):
एक $p-n$ फोटोडायोड $2.0\, eV$ के बैंड गैप वाले पदार्थ से बना है। इस पदार्थ द्वारा अवशोषित की जा सकने वाली विकिरण की न्यूनतम आवृत्ति लगभग कितनी होगी?
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प्रकाश के उत्सर्जन के लिए,एक प्रकाश उत्सर्जक डायोड $(LED)$ का उपयोग कैसे किया जाता है?
$\text{LED}$ का $I-V$ अभिलक्षण है $:$
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