एक ऐसी स्थिति पर विचार करें जिसमें एक विशिष्ट $P-N$ जंक्शन का रिवर्स बायस करंट तब बढ़ जाता है जब इसे $\lambda \le 621 \, nm$ तरंगदैर्ध्य के प्रकाश के संपर्क में लाया जाता है। इस प्रक्रिया के दौरान,होल-इलेक्ट्रॉन जोड़े के निर्माण के कारण वाहक सांद्रता में वृद्धि होती है। बैंड गैप का मान लगभग है ($eV$ में):
- A$1$
- B$4$
- C$2$
- D$0.5$
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कथन $(A)$: $Si$ और $GaAs$ सौर सेल के लिए पसंदीदा सामग्री हैं।
कारण $(R)$: इन दोनों सामग्रियों के ऊर्जा बैंड अंतराल सौर स्पेक्ट्रम में अधिकतम सौर विकिरण के अनुरूप ऊर्जा स्तर से काफी नीचे हैं।
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सौर सेल का $I-V$ अभिलक्षण ग्राफ निर्देशांक प्रणाली के चौथे चतुर्थांश में क्यों खींचा जाता है?
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