એક એવી પરિસ્થિતિનો વિચાર કરો જેમાં કોઈ ચોક્કસ $P-N$ જંકશનનો રિવર્સ બાયસ પ્રવાહ વધે છે જ્યારે તેને $\lambda \le 621 \, nm$ તરંગલંબાઇના પ્રકાશમાં રાખવામાં આવે છે. આ પ્રક્રિયા દરમિયાન,હોલ-ઇલેક્ટ્રોન જોડીઓના નિર્માણને કારણે કેરિયર સાંદ્રતામાં વધારો થાય છે. બેન્ડ ગેપનું મૂલ્ય આશરે કેટલું હશે? ($eV$ માં)

  • A
    $1$
  • B
    $4$
  • C
    $2$
  • D
    $0.5$

Explore More

Similar Questions

ફોટોડાયોડના બાયસિંગ વોલ્ટેજમાં વધારો થતાં,ફોટોઈલેક્ટ્રિક પ્રવાહનું મૂલ્ય

$3 \ eV$ ના બેન્ડ ગેપ ધરાવતા સેમિકન્ડક્ટર મટિરિયલનો ઉપયોગ કરીને એક $CCD$ કેમેરા બનાવવામાં આવે છે. તે જે પ્રકાશની તરંગલંબાઇ શોધી શકે છે તે આશરે કેટલી છે ($nm$ માં)?

કયા પ્રકારના $p-n$ જંકશન ડાયોડને કાર્ય કરવા માટે ફોરવર્ડ બાયસની જરૂર પડતી નથી?

ફોટોડાયોડની રચના અને કાર્ય સમજાવો.

એક $LED$ ના $V-I$ લાક્ષણિકતાઓ કયા આલેખ દ્વારા યોગ્ય રીતે દર્શાવવામાં આવી છે?

Vedclass Products

For Students

Vedclass Test Series

Mock tests in real JEE/NEET style with performance analysis. 5-day free trial.

Start Free Trial
For Teachers

Exam Paper Generator

Generate Set A/B/C/D exam papers from 7.5L+ questions in 2 minutes. 3 chapters free.

Try Free
For Institutes

Online Exam Module

Live online exams with unlimited students, 360° analytics & white-label branding.

See Demo