मान लीजिए कि फॉरवर्ड बायस स्थिति में एक सिलिकॉन डायोड पर $0.7 \text{ V}$ का वोल्टेज ड्रॉप होता है, तो परिपथ में डायोड $D_1$ से होकर बहने वाली धारा . . . . . . $\text{mA}$ है। (मान लें कि दिए गए परिपथ में सभी डायोड समान हैं)

दिए गए परिपथ में धारा $i$ ज्ञात कीजिए।

निम्नलिखित परिपथ में जंक्शन डायोड को अपने $I-V$ अभिलक्षणिक वक्र के नी पॉइंट $(0.7 \, V)$ से ऊपर रहने के लिए न्यूनतम $1 \, mA$ धारा की आवश्यकता होती है। नी पॉइंट से ऊपर डायोड के सिरों पर वोल्टेज धारा से स्वतंत्र है। यदि $V_B = 5 \, V$ है,तो $R$ का अधिकतम मान क्या होगा ताकि वोल्टेज नी पॉइंट से ऊपर रहे?

यदि $P-N$ जंक्शन पर कोई बाहरी वोल्टेज लागू नहीं किया जाता है,तो क्या होगा?

जब एक डायोड फॉरवर्ड बायस में होता है,तो उसका वोल्टेज ड्रॉप $0.5\, V$ होता है। डायोड से गुजरने वाली धारा की सुरक्षित सीमा $10\, mA$ है। यदि परिपथ में $1.5\, V$ emf वाली बैटरी का उपयोग किया जाता है,तो डायोड के साथ श्रेणीक्रम में जोड़े जाने वाले न्यूनतम प्रतिरोध का मान क्या होगा ताकि धारा सुरक्षित सीमा से अधिक न हो? $.....\, \Omega$.

एक अनबायस्ड (unbiased) $p-n$ जंक्शन डायोड में: