दिए गए परिपथ में धारा $i$ ज्ञात कीजिए।

  • A
    $\frac{5}{40} \, A$
  • B
    $\frac{5}{50} \, A$
  • C
    $\frac{5}{10} \, A$
  • D
    $\frac{5}{20} \, A$

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अग्र अभिनत (forward biased) डायोड कनेक्शन कौन सा है?

निम्नलिखित परिपथों $A$ और $B$ में प्रवाहित होने वाली धाराएँ क्रमशः क्या हैं?

एक $p-n$ जंक्शन डायोड में, धारा $I$ को $I=I_{0} \left[\exp \left(\frac{e V}{k_{B} T}\right)-1\right]$ के रूप में व्यक्त किया जा सकता है, जहाँ $I_{0}$ रिवर्स सैचुरेशन धारा है, $V$ डायोड के सिरों पर वोल्टेज है (फॉरवर्ड बायस के लिए धनात्मक और रिवर्स बायस के लिए ऋणात्मक), $I$ डायोड से प्रवाहित धारा है, $k_{B}$ बोल्ट्जमैन नियतांक $(8.6 \times 10^{-5} \; eV/K)$ है और $T$ परम ताप है। यदि किसी दिए गए डायोड के लिए $I_{0}=5 \times 10^{-12} \; A$ और $T=300 \; K$ है, तो:
$(a)$ $0.6 \; V$ के फॉरवर्ड वोल्टेज पर फॉरवर्ड धारा क्या होगी?
$(b)$ यदि डायोड पर वोल्टेज बढ़ाकर $0.7 \; V$ कर दिया जाए तो धारा में कितनी वृद्धि होगी?
$(c)$ डायनेमिक प्रतिरोध क्या है?
$(d)$ यदि रिवर्स बायस वोल्टेज $1 \; V$ से बदलकर $2 \; V$ हो जाए तो धारा क्या होगी?

एक अर्धचालक (semiconductor) में बैंड गैप $0.6 eV$ है। इस अर्धचालक में होल-इलेक्ट्रॉन युग्म बनाने में सक्षम विद्युत चुम्बकीय विकिरण की अधिकतम तरंगदैर्ध्य कितनी होगी ($nm$ में)? [$hc = 1242 eV-nm$ का उपयोग करें]

$p-n$ जंक्शन की स्थिर (static) विशेषताएँ क्या हैं? इसके प्रकार लिखिए।

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