एक अर्धचालक (semiconductor) में बैंड गैप $0.6 eV$ है। इस अर्धचालक में होल-इलेक्ट्रॉन युग्म बनाने में सक्षम विद्युत चुम्बकीय विकिरण की अधिकतम तरंगदैर्ध्य कितनी होगी ($nm$ में)? [$hc = 1242 eV-nm$ का उपयोग करें]

दिए गए परिपथों में कौन सा डायोड फॉरवर्ड बायस में है?

दिए गए परिपथ में, तीनों डायोड $D_1, D_2, D_3$ का अग्र प्रतिरोध (forward resistance) प्रत्येक $50 \text{ } \Omega$ है और पश्च प्रतिरोध (backward resistance) अनंत है। यदि बैटरी का वोल्टेज $5 \text{ V}$ है, तो $100 \text{ } \Omega$ के प्रतिरोध से प्रवाहित होने वाली धारा ज्ञात कीजिए। ($\text{mA}$ में)

अवक्षय परत (depletion layer) का विद्युत प्रतिरोध अधिक होता है क्योंकि

एक $p-n$ जंक्शन डायोड को $5.7 \ V$ के emf वाली बैटरी के साथ $5 \ k\Omega$ के प्रतिरोधक के श्रेणीक्रम में इस प्रकार जोड़ा जाता है कि यह अग्र अभिनत (forward biased) हो। यदि डायोड का रोधिका विभव (barrier potential) $0.7 \ V$ है,और डायोड के प्रतिरोध को नगण्य माना जाए,तो परिपथ में धारा का मान क्या होगा?

निम्नलिखित कथनों $A$ और $B$ पर विचार करें और दिए गए उत्तरों में से सही विकल्प की पहचान करें:
$A:$ $P-N$ जंक्शन डायोड में फॉरवर्ड बायस में अवक्षय परत (depletion layer) की चौड़ाई बढ़ जाती है।
$B:$ एक आंतरिक (intrinsic) अर्धचालक में,फर्मी ऊर्जा स्तर वर्जित अंतराल (forbidden gap) के ठीक बीच में होता है।