એક સેમિકન્ડક્ટરમાં બેન્ડ ગેપ $0.6 eV$ છે. આ સેમિકન્ડક્ટરમાં હોલ-ઇલેક્ટ્રોન જોડી બનાવવા માટે સક્ષમ ઇલેક્ટ્રોમેગ્નેટિક રેડિયેશનની મહત્તમ તરંગલંબાઇ કેટલી હશે ($nm$ માં)? [$hc = 1242 eV-nm$ નો ઉપયોગ કરો]

નીચે આપેલા સિલિકોન-આધારિત ટ્રાન્ઝિસ્ટર સર્કિટમાં $V_{CE}$ શોધો. ($V$ માં)

જો સેમિકન્ડક્ટર ડાયોડમાં ફોરવર્ડ વોલ્ટેજ બમણો કરવામાં આવે,તો ડેપ્લેશન લેયરની પહોળાઈ

પરિપથમાં વપરાયેલ ડાયોડનો બેરિયર વોલ્ટેજ $0.5\,V$ છે અને મહત્તમ પાવર રેટિંગ $10\,mW$ છે. ડાયોડ સાથે શ્રેણીમાં જોડાયેલ અવરોધ $R$ નું લઘુત્તમ મૂલ્ય કેટલું હોવું જોઈએ?

એક ડાયોડ કે જેના જંકશન પર $0.5\, V$ નો પોટેન્શિયલ તફાવત છે,જે પ્રવાહ પર આધારિત નથી,તેને $20\, \Omega$ ના અવરોધ સાથે શ્રેણીમાં એક સોર્સ સાથે જોડવામાં આવે છે. જો અવરોધમાંથી $0.1\, A$ પ્રવાહ પસાર થતો હોય,તો સોર્સનો વોલ્ટેજ કેટલો હશે ($, V$ માં)?

સિલિકોન ડાયોડનો $V-I$ લાક્ષણિક આલેખ આકૃતિમાં દર્શાવેલ છે. $(a) \; I_{D} = 15 \, mA$ અને $(b) \; V_{D} = -10 \, V$ પર ડાયોડનો અવરોધ ગણો.