$p-n$ जंक्शन डायोड का बैरियर विभव किस पर निर्भर नहीं करता है?

  • A
    अग्र अभिनति (forward bias)
  • B
    अपमिश्रण घनत्व (doping density)
  • C
    डायोड की बनावट (diode design)
  • D
    तापमान

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निम्नलिखित परिपथ में $PN$-जंक्शन डायोड $D_1, D_2$ और $D_3$ आदर्श हैं। $A$ और $B$ के निम्नलिखित विभवों के लिए,$A$ और $B$ के बीच प्रतिरोध का सही बढ़ता क्रम क्या होगा?
$(i) V_A = -10\,V, V_B = -5\,V$
$(ii) V_A = -4\,V, V_B = -12\,V$

नीचे दिखाए गए परिपथ में दो आदर्श डायोड हैं,जिनमें से प्रत्येक का अग्र प्रतिरोध (forward resistance) $50\,\Omega $ है। यदि बैटरी का वोल्टेज $6\,V$ है,तो $100\,\Omega $ के प्रतिरोध से होकर बहने वाली धारा (एम्पीयर में) क्या है?

आरेखों में दिखाए गए डायोड में से कौन सा रिवर्स बायस्ड है?

एक $p-n$ जंक्शन डायोड को $5.5\, V$ के $emf$ वाली बैटरी और $5.1\, k\Omega$ के बाहरी प्रतिरोध से जोड़ा गया है। डायोड में बैरियर विभव $0.4\, V$ है। परिपथ में धारा का मान ज्ञात कीजिए।

Difficult
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सिलिकॉन डायोड के लिए कट-इन वोल्टेज लगभग $V$ है।

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