$P-N$ जंक्शन डायोड का बैरियर विभव किस पर निर्भर नहीं करता है?

$p-n$ जंक्शन क्षेत्र में अवक्षय परत (depletion layer) किसके कारण बनती है?

$P-N$ जंक्शन डायोड के फॉरवर्ड बायस प्रतिरोध और रिवर्स बायस प्रतिरोध का अनुपात लगभग कितना होता है?

चित्र में अग्र अभिनति (forward bias) में एक $p-n$ जंक्शन डायोड की $I-V$ विशेषताएँ दिखाई गई हैं। क्रमशः $2 \; V$ और $4 \; V$ के अग्र अभिनति वोल्टेज के अनुरूप गतिशील प्रतिरोध (dynamic resistance) का अनुपात क्या है?

एक $p-n$ जंक्शन डायोड को $5.7 \ V$ के emf वाली बैटरी के साथ $5 \ k\Omega$ के प्रतिरोधक के श्रेणीक्रम में इस प्रकार जोड़ा जाता है कि यह अग्र अभिनत (forward biased) हो। यदि डायोड का रोधिका विभव (barrier potential) $0.7 \ V$ है,और डायोड के प्रतिरोध को नगण्य माना जाए,तो परिपथ में धारा का मान क्या होगा?

दिए गए नेटवर्क में वोल्टेज $V_0$ का मान क्या है?