चित्र में अग्र अभिनति (forward bias) में एक $p-n$ जंक्शन डायोड की $I-V$ विशेषताएँ दिखाई गई हैं। क्रमशः $2 \; V$ और $4 \; V$ के अग्र अभिनति वोल्टेज के अनुरूप गतिशील प्रतिरोध (dynamic resistance) का अनुपात क्या है?

  • A
    $1: 2$
  • B
    $5: 1$
  • C
    $1: 40$
  • D
    $20: 1$

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$P-N$ जंक्शन डायोड में रिवर्स बायस को एक बड़े मान तक बढ़ाने पर,धारा

जब फॉरवर्ड बायस वोल्टेज को $0.6 \, V$ से बदला जाता है, तो जंक्शन डायोड से गुजरने वाली धारा में $12 \, mA$ का परिवर्तन होता है। डायनेमिक प्रतिरोध है

एक $p-n$ जंक्शन डायोड में, अवक्षय परत (depletion layer) की मोटाई $2 \times 10^{-6} \,m$ है और विभव प्राचीर (barrier potential) $0.3 \,V$ है। जंक्शन पर विद्युत क्षेत्र की तीव्रता है

$p-n$ जंक्शन के निर्माण के दौरान कौन सी दो महत्वपूर्ण प्रक्रियाएं होती हैं?

दिए गए परिपथ में, बैटरी से प्रवाहित होने वाली धारा ...... $A$ है।

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