$P-N$ जंक्शन डायोड में रिवर्स बायस को एक बड़े मान तक बढ़ाने पर,धारा

एक $p-n$ जंक्शन डायोड में, अवक्षय क्षेत्र (depletion region) में $2 \times 10^5 \ V/m$ परिमाण का विद्युत क्षेत्र मौजूद है। $-3e$ आवेश वाला एक कण $n$-साइड से $p$-साइड की ओर विसरित (diffuse) हो सकता है, यदि उसके पास न्यूनतम गतिज ऊर्जा $0.6 \ eV$ हो। $p-n$ जंक्शन के अवक्षय क्षेत्र की चौड़ाई है: ($nm$ में)

ऑपरेशनल एम्पलीफायर एक

एक $p-n$ जंक्शन डायोड में, अवक्षय परत (depletion layer) की मोटाई $2 \times 10^{-6} \,m$ है और विभव प्राचीर (barrier potential) $0.3 \,V$ है। जंक्शन पर विद्युत क्षेत्र की तीव्रता है

$p-n$ जंक्शन डायोड में विभव प्राचीर (potential barrier) किसके कारण होता है?

$P-N$ जंक्शन बनाने के लिए $Si$ पदार्थ का उपयोग किया गया है। तो डिप्लेशन बैरियर की ऊंचाई लगभग कितने $V$ होगी?