M.O. સિદ્ધાંતના આધારે,નીચેનામાંથી કયા દ્વિપરમ | vedclass

Name: Exam Paper Generator | JEE NEET Paper Generator | Vedclass
Brand: Vedclass
Rating: 5 (35 reviews)

Question

(A) $M.O.$ સિદ્ધાંત મુજબ,બંધની મજબૂતી બંધ ક્રમાંક $(B.O.)$ ના સીધા પ્રમાણમાં હોય છે.
જો એન્ટિ-બોન્ડિંગ મોલેક્યુલર ઓર્બિટલ $(M.O.)$ માંથી ઇલેક્ટ્રોન દ

Vedclass · Accepted Answer

માત્ર $(A), (C)$

Vedclass · Answer

(A) $M.O.$ સિદ્ધાંત મુજબ,બંધની મજબૂતી બંધ ક્રમાંક $(B.O.)$ ના સીધા પ્રમાણમાં હોય છે.
જો એન્ટિ-બોન્ડિંગ મોલેક્યુલર ઓર્બિટલ $(M.O.)$ માંથી ઇલેક્ટ્રોન દૂર કરવામાં આવે,તો બંધ ક્રમાંક વધે છે,જેનાથી બંધ વધુ મજબૂત બને છે.
ચાલો અણુઓનું વિશ્લેષણ કરીએ:
$1$. $NO$ ($15$ $e^-$): ઇલેક્ટ્રોન રચના $\sigma 1s^2, \sigma^* 1s^2, \sigma 2s^2, \sigma^* 2s^2, \sigma 2p_z^2, \pi 2p_x^2 = \pi 2p_y^2, \pi^* 2p_x^1$ છે. $\pi^* 2p_x$ માંથી ઇલેક્ટ્રોન દૂર કરવાથી $B.O.$ $2.5$ થી વધીને $3.0$ થાય છે.
$2$. $N_2$ ($14$ $e^-$): બોન્ડિંગ ઓર્બિટલ $(\sigma 2p_z)$ માંથી ઇલેક્ટ્રોન દૂર કરવાથી $B.O.$ $3.0$ થી ઘટીને $2.5$ થાય છે.
$3$. $O_2$ ($16$ $e^-$): ઇલેક્ટ્રોન રચનામાં $\pi^* 2p_x$ અને $\pi^* 2p_y$ માં ઇલેક્ટ્રોન હોય છે. $\pi^*$ માંથી ઇલેક્ટ્રોન દૂર કરવાથી $B.O.$ $2.0$ થી વધીને $2.5$ થાય છે.
$4$. $C_2$ ($12$ $e^-$): બોન્ડિંગ ઓર્બિટલ $(\pi 2p)$ માંથી ઇલેક્ટ્રોન દૂર કરવાથી $B.O.$ $2.0$ થી ઘટીને $1.5$ થાય છે.
$5$. $B_2$ ($10$ $e^-$): બોન્ડિંગ ઓર્બિટલ $(\pi 2p)$ માંથી ઇલેક્ટ્રોન દૂર કરવાથી $B.O.$ $1.0$ થી ઘટીને $0.5$ થાય છે.
આમ,$NO$ અને $O_2$ માટે બંધ વધુ મજબૂત બને છે.

યાદી-$I$ (અણુ / આયન)	યાદી-$II$ (બંધ ક્રમાંક)
$1$. $NO$	$i$. $1.5$
$2$. $CO$	$ii$. $2.0$
$3$. $O_2^{-}$	$iii$. $2.5$
$4$. $O_2$	$iv$. $3.0$

Similar Questions

આપેલ સ્પીસીઝ માટે નીચેનામાંથી કઈ ઇલેક્ટ્રોનિક રચના સાચી છે?

નીચેનામાંથી કઈ સ્પીસીઝ પેરામેગ્નેટિક (અનુચુંબકીય) છે?

$ClO_4^-$ માં $Cl$ અને $O$ વચ્ચેનો $\pi$ બંધ . . . . . . કક્ષકોના અતિવ્યાપનથી બને છે.

નીચેનામાંથી કયું આઈસોઈલેક્ટ્રોનિક સ્પીસીઝનો સમૂહ બનાવે છે?

Vedclass Test Series

Exam Paper Generator

Online Exam Module