ખોટું વિધાન પસંદ કરો.

Name: Exam Paper Generator | JEE NEET Paper Generator | Vedclass
Brand: Vedclass
Rating: 5 (35 reviews)

Question

(C) $1$. $PH_3$ અને $PF_3$ માં,મધ્યસ્થ પરમાણુ $P$ પાસે એક અબંધકારક ઇલેક્ટ્રોન યુગ્મ છે. $F$ એ $H$ કરતા વધુ વિદ્યુતઋણ હોવાથી,$PF_3$ માં બંધકારક ઇલેક્ટ્

Vedclass · Accepted Answer

$CO$ અણુમાં ડાયપોલ મોમેન્ટની દિશા બેકબોન્ડિંગને કારણે $O 	o C$ તરફ હોય છે.

Vedclass · Answer

(C) $1$. $PH_3$ અને $PF_3$ માં,મધ્યસ્થ પરમાણુ $P$ પાસે એક અબંધકારક ઇલેક્ટ્રોન યુગ્મ છે. $F$ એ $H$ કરતા વધુ વિદ્યુતઋણ હોવાથી,$PF_3$ માં બંધકારક ઇલેક્ટ્રોન યુગ્મો $F$ ની નજીક હોય છે,જે બંધકારક યુગ્મો વચ્ચેનું અપાકર્ષણ ઘટાડે છે,પરિણામે $PH_3$ ની સરખામણીમાં $PF_3$ માં બંધકોણ નાનો હોય છે. તેથી,$PH_3 > PF_3$ સાચું છે.$2$. $BX_3$ અણુઓમાં,$sp^2$ સંકરણને કારણે બધા માટે બંધકોણ $120^{\circ}$ છે. તેથી,$BF_3 = BCl_3 = BBr_3 = BI_3$ સાચું છે.$3$. $CO$ માં,$C$ પરનો ફોર્મલ ચાર્જ $-1$ અને $O$ પર $+1$ છે. ડાયપોલ મોમેન્ટની દિશા $C$ થી $O$ તરફ (ઋણથી ધન છેડા તરફ) હોય છે. $O 	o C$ હોવાનું વિધાન ખોટું છે.$4$. બંધકોણનો ક્રમ $OF_2 (103^{\circ}) < H_2O (104.5^{\circ}) < OCl_2 (111^{\circ}) < O(SiH_3)_2 (144^{\circ})$ સાચો છે,જે વધતા સ્ટેરિક અપાકર્ષણ અને $O(SiH_3)_2$ માં બેકબોન્ડિંગને કારણે છે.

તત્વ	વિદ્યુતઋણતા
$W$	$2.7$
$X$	$2.1$
$Y$	$0.8$
$Z$	$3.4$

List-$I$	List-$II$
$A. PCl_5$	$I. \text{\text{સમચતુષ્ફલકીય}}$
$B. BrF_5$	$II. \text{\text{સમચોરસ સમતલીય}}$
$C. BF_4^-$	$III. \text{\text{ત્રિકોણીય દ્વિપિરામિડલ}}$
$D. [Ni(CN)_4]^{2-}$	$IV. \text{\text{ચોરસ પિરામિડલ}}$

Similar Questions

$O_3$ અણુમાં $\sigma$ અને $\pi$ બંધની સંખ્યા કેટલી છે?

નીચેનામાંથી કઈ એકી ઇલેક્ટ્રોન ધરાવતી સ્પીસીઝ સમતલીય (planar) છે?

તત્વ વિદ્યુતઋણતા
$W$ $2.7$
$X$ $2.1$
$Y$ $0.8$
$Z$ $3.4$
આપેલ માહિતીના સંદર્ભમાં ખોટું વિધાન કયું છે?

નીચેનામાંથી કયું સંયોજન અસ્તિત્વ ધરાવતું નથી?

Vedclass Test Series

Exam Paper Generator

Online Exam Module