एक अनबायस्ड सेमीकंडक्टर डायोड में डिप्लीशन रीजन वह क्षेत्र है जिसमें क्या होता है?

निम्नलिखित में से कौन सा कथन सही नहीं है?

दी गई परिपथ में $V_{AB}$ का मान ज्ञात कीजिए।

नीचे दिए गए चित्र में दिखाए गए आदर्श $PN-$ जंक्शन डायोड से प्रवाहित होने वाली धारा क्या है? ($mA$ में)

निम्नलिखित परिपथ में एमीटर से प्रवाहित होने वाली धारा (आंतरिक प्रतिरोध की उपेक्षा करते हुए) क्या है?

एक $p-n$ जंक्शन डायोड में, धारा $I$ को $I=I_{0} \left[\exp \left(\frac{e V}{k_{B} T}\right)-1\right]$ के रूप में व्यक्त किया जा सकता है, जहाँ $I_{0}$ रिवर्स सैचुरेशन धारा है, $V$ डायोड के सिरों पर वोल्टेज है (फॉरवर्ड बायस के लिए धनात्मक और रिवर्स बायस के लिए ऋणात्मक), $I$ डायोड से प्रवाहित धारा है, $k_{B}$ बोल्ट्जमैन नियतांक $(8.6 \times 10^{-5} \; eV/K)$ है और $T$ परम ताप है। यदि किसी दिए गए डायोड के लिए $I_{0}=5 \times 10^{-12} \; A$ और $T=300 \; K$ है, तो:
$(a)$ $0.6 \; V$ के फॉरवर्ड वोल्टेज पर फॉरवर्ड धारा क्या होगी?
$(b)$ यदि डायोड पर वोल्टेज बढ़ाकर $0.7 \; V$ कर दिया जाए तो धारा में कितनी वृद्धि होगी?
$(c)$ डायनेमिक प्रतिरोध क्या है?
$(d)$ यदि रिवर्स बायस वोल्टेज $1 \; V$ से बदलकर $2 \; V$ हो जाए तो धारा क्या होगी?