निम्नलिखित परिपथ में एमीटर से प्रवाहित होने वाली धारा (आंतरिक प्रतिरोध की उपेक्षा करते हुए) क्या है?

यदि एक डायोड में अग्र वोल्टेज (forward voltage) को बढ़ाया जाता है,तो अवक्षय परत (depletion region) की चौड़ाई $\qquad$ .

एक $P-N$ जंक्शन में $0.5 \ V$ का विभव प्राचीर (potential barrier) है। यदि एक इलेक्ट्रॉन $N$-सिरे से $5 \times 10^5 \ m/s$ की गति से $P-N$ जंक्शन डायोड में प्रवेश करता है,तो $P$-सिरे से बाहर निकलते समय उसकी गति क्या होगी?

$P-N$ जंक्शन डायोड में रिवर्स बायस को एक बड़े मान तक बढ़ाने पर,धारा

किसी $p-n$ जंक्शन डायोड में जो किसी परिपथ से नहीं जुड़ा है:

जब एक डायोड फॉरवर्ड बायस में होता है,तो उसका वोल्टेज ड्रॉप $0.5\, V$ होता है। डायोड से गुजरने वाली धारा की सुरक्षित सीमा $10\, mA$ है। यदि परिपथ में $1.5\, V$ emf वाली बैटरी का उपयोग किया जाता है,तो डायोड के साथ श्रेणीक्रम में जोड़े जाने वाले न्यूनतम प्रतिरोध का मान क्या होगा ताकि धारा सुरक्षित सीमा से अधिक न हो? $.....\, \Omega$.