આકૃતિ દોરીને તાપમાન સાથે આંતરિક (intrinsic) સેમિકન્ડક્ટરના એનર્જી બેન્ડ સ્ટ્રક્ચરમાં થતા ફેરફારને સમજાવો.

(N/A) $T = 0 \,K$ તાપમાને આંતરિક સેમિકન્ડક્ટર અવાહક તરીકે વર્તે છે. આ તાપમાને, બધા ઇલેક્ટ્રોન વેલેન્સ બેન્ડમાં બંધાયેલા હોય છે અને કન્ડક્શન બેન્ડમાં કોઈ ઇલેક્ટ્રોન હોતા નથી. પરિણામે, વિદ્યુત પ્રવાહ વહી શકતો નથી અને તે અવાહક તરીકે કામ કરે છે.
$T > 0 \,K$ તાપમાને, ઉષ્મીય ઉર્જાને કારણે કેટલાક ઇલેક્ટ્રોન પૂરતી ઉર્જા મેળવીને વેલેન્સ બેન્ડમાંથી કન્ડક્શન બેન્ડમાં કૂદી શકે છે. આ પ્રક્રિયા કન્ડક્શન બેન્ડમાં મુક્ત ઇલેક્ટ્રોન અને વેલેન્સ બેન્ડમાં અનુરૂપ હોલ (holes) ઉત્પન્ન કરે છે, જે આકૃતિમાં દર્શાવેલ છે.
આકૃતિમાં, ઘાટા ટપકાં ઇલેક્ટ્રોન દર્શાવે છે, જ્યારે ખાલી વર્તુળો હોલ દર્શાવે છે. વેલેન્સ બેન્ડ $(E_V)$ અને કન્ડક્શન બેન્ડ $(E_C)$ વચ્ચેના ઉર્જા ગેપને $E_g$ દ્વારા દર્શાવવામાં આવે છે. જેમ તાપમાન વધે છે, તેમ ઉષ્મીય રીતે ઉત્તેજિત ચાર્જ કેરિયર્સની સંખ્યા વધે છે, જેનાથી સેમિકન્ડક્ટરની વાહકતામાં વધારો થાય છે.