સમજાવો કે શા માટે તત્વીય અર્ધવાહકોનો ઉપયોગ દ્રશ્યમાન $LED$ બનાવવા માટે થઈ શકતો નથી.

Vedclass pdf generator app on play store
Vedclass iOS app on app store
(N/A) તત્વીય અર્ધવાહકો, જેમ કે સિલિકોન $(Si)$ અથવા જર્મેનિયમ $(Ge)$ ની બેન્ડ ગેપ ઉર્જા પ્રમાણમાં ઓછી હોય છે. સિલિકોન માટે બેન્ડ ગેપ આશરે $1.1 \text{ eV}$ છે અને જર્મેનિયમ માટે તે આશરે $0.67 \text{ eV}$ છે.
દ્રશ્યમાન પ્રકાશ આશરે $1.8 \text{ eV}$ થી $3.1 \text{ eV}$ ની ફોટોન ઉર્જાને અનુરૂપ હોય છે.
તત્વીય અર્ધવાહકોની બેન્ડ ગેપ ખૂબ ઓછી હોવાથી, ઇલેક્ટ્રોન-હોલ પુનઃસંયોજન દરમિયાન મુક્ત થતી ઉર્જા દ્રશ્યમાન વર્ણપટમાં ફોટોન ઉત્પન્ન કરવા માટે અપૂરતી હોય છે. તેના બદલે, તેઓ ઇન્ફ્રારેડ વિસ્તારમાં વિકિરણનું ઉત્સર્જન કરે છે.
તેથી, દ્રશ્યમાન પ્રકાશના $LED$ બનાવવા માટે મોટી બેન્ડ ગેપ ધરાવતા સંયોજન અર્ધવાહકોની જરૂર પડે છે.

Explore More

Similar Questions

નીચેનામાંથી અસંગત જોડી ઓળખો.

એક $LED$ નો એનર્જી ગેપ $2.4 eV$ છે. જ્યારે $LED$ ચાલુ કરવામાં આવે છે,ત્યારે ઉત્સર્જિત ફોટોનનું વેગમાન કેટલું હશે?

$2.5 \, eV$ ના બેન્ડ ગેપ ધરાવતા સેમિકન્ડક્ટરથી $p-n$ ફોટોડાયોડ બનાવવામાં આવે છે. તે કેટલી તરંગલંબાઇનો સિગ્નલ શોધી શકે છે?

જ્યારે $2480 \; nm$ કરતા ઓછી તરંગલંબાઈ ધરાવતું વિદ્યુતચુંબકીય વિકિરણ અર્ધવાહક પર આપાત થાય છે,ત્યારે તેની વિદ્યુત વાહકતા વધે છે. અર્ધવાહક માટે બેન્ડ ગેપ $eV$ માં કેટલો હશે?

ફોટોડાયોડની વાહકતા ત્યારે જ બદલાવાનું શરૂ થાય છે જો આપાત પ્રકાશની તરંગલંબાઇ < 660 \, nm કરતા ઓછી હોય. ફોટોડાયોડનો બેન્ડ ગેપ $\left(\frac{x}{8}\right) eV$ જેટલો મળે છે. $x$ નું મૂલ્ય કેટલું હશે? (આપેલ છે, $h=6.6 \times 10^{-34} \, Js, c=3 \times 10^8 \, m/s, e=1.6 \times 10^{-19} \, C$)

Vedclass Products

For Students

Vedclass Test Series

Mock tests in real JEE/NEET style with performance analysis. 5-day free trial.

Start Free Trial
For Teachers

Exam Paper Generator

Generate Set A/B/C/D exam papers from 7.5L+ questions in 2 minutes. 3 chapters free.

Try Free
For Institutes

Online Exam Module

Live online exams with unlimited students, 360° analytics & white-label branding.

See Demo