ડાયોડ $D_1$ માટે,ફોરવર્ડ બાયસ અવરોધ $20 \ \Omega$ છે અને રિવર્સ બાયસ અવરોધ $600 \ \Omega$ છે. ડાયોડ $D_2$ માટે,ફોરવર્ડ બાયસ અવરોધ $30 \ \Omega$ છે અને રિવર્સ બાયસ અવરોધ $200 \ \Omega$ છે. જો $(i)$ $A$ ઉચ્ચ પોટેન્શિયલ પર હોય અને $(ii)$ $B$ ઉચ્ચ પોટેન્શિયલ પર હોય,તો $A$ અને $B$ વચ્ચેનો સમતુલ્ય અવરોધ શોધો.

  • A
    $\frac{200}{7} \ \Omega$ અને $\frac{200}{11} \ \Omega$
  • B
    $\frac{200}{11} \ \Omega$ અને $\frac{200}{7} \ \Omega$
  • C
    $50 \ \Omega$ અને $800 \ \Omega$
  • D
    $220 \ \Omega$ અને $630 \ \Omega$

Explore More

Similar Questions

નીચેનું કોષ્ટક આપેલ ડાયોડ માટે $V$ અને $I$ ના મૂલ્યોનો સમૂહ આપે છે. ધારો કે લાક્ષણિકતાઓ લગભગ રેખીય છે. આ શ્રેણીમાં,આપેલ ડાયોડનો ફોરવર્ડ અને રિવર્સ બાયસ અવરોધ અનુક્રમે કેટલો હશે?
સ્થિતિ $V$ $I$
ફોરવર્ડ બાયસિંગ $2.0 \, V$ $60 \, mA$
ફોરવર્ડ બાયસિંગ $2.4 \, V$ $80 \, mA$
રિવર્સ બાયસિંગ $0 \, V$ $0 \, \mu A$
રિવર્સ બાયસિંગ $-2 \, V$ $-0.25 \, \mu A$

Difficult
View Solution

$PN-$ જંકશનની જાડાઈ આશરે કેટલી હોય છે?

નીચેનામાંથી કયો ઘટક $IC$ (ઇન્ટિગ્રેટેડ સર્કિટ) માંથી સરળતાથી મેળવી શકાતો નથી?

આકૃતિમાં દર્શાવ્યા મુજબ એક સર્કિટ ગોઠવેલી છે. આઉટપુટ વોલ્ટેજ ${V}_{0}$ એ $\ldots \ldots \text{ V}$ ની બરાબર છે.

$Ge$ અને $Si$ ડાયોડ અનુક્રમે $0.3\,V$ અને $0.7\,V$ પર વહન કરવાનું શરૂ કરે છે. નીચેની આકૃતિમાં,જો $Ge$ ડાયોડનું જોડાણ ઉલટાવવામાં આવે,તો $V_0$ ના મૂલ્યમાં કેટલો ફેરફાર થશે: ...... $V$ (ધારો કે $Ge$ ડાયોડ પાસે મોટો બ્રેકડાઉન વોલ્ટેજ છે).

Difficult
View Solution

Vedclass Products

For Students

Vedclass Test Series

Mock tests in real JEE/NEET style with performance analysis. 5-day free trial.

Start Free Trial
For Teachers

Exam Paper Generator

Generate Set A/B/C/D exam papers from 7.5L+ questions in 2 minutes. 3 chapters free.

Try Free
For Institutes

Online Exam Module

Live online exams with unlimited students, 360° analytics & white-label branding.

See Demo