એક ઇન્ટ્રિન્સિક (શુદ્ધ) સેમિકન્ડક્ટર માટે,જ્યાં $n_{h}$ અને $n_{e}$ અનુક્રમે એકમ કદ દીઠ હોલની સંખ્યા અને એકમ કદ દીઠ ઇલેક્ટ્રોનની સંખ્યા છે,તો નીચેનામાંથી કયો સંબંધ સાચો છે?

એક સિલિકોનનો નમૂનો $p$-પ્રકારના અર્ધવાહક તરીકે ડોપિંગ કરીને બનાવવામાં આવે છે. જેમાં ઇન્ડિયમનો એક પરમાણુ સિલિકોનના $5 \times 10^7$ પરમાણુ દીઠ ઉમેરવામાં આવે છે. જો સિલિકોનની સંખ્યા ઘનતા $5 \times 10^{28} \text{ atoms/m}^3$ હોય,તો પ્રતિ $\text{cm}^3$ દીઠ એક્સેપ્ટર પરમાણુઓની સંખ્યા ઘનતા ગણો.

ડોનર અશુદ્ધિના પરિણામે શું મળે છે?

આંતરિક (intrinsic) સેમિકન્ડક્ટરમાં કુલ પ્રવાહનું સૂત્ર લખો.

જો હોલ અને ઈલેક્ટ્રોનની સંખ્યાને અનુક્રમે $n_h$ અને $n_e$ વડે દર્શાવવામાં આવે,તો અંતર્ગત (intrinsic) અર્ધવાહક માટે નીચેનામાંથી શું સાચું છે?

$n$-ટાઈપ સેમિકન્ડક્ટર માટે નીચેનામાંથી કયું વિધાન $\underline{TRUE}$ (સાચું) છે?