एक आंतरिक (intrinsic) अर्धचालक के लिए,जहाँ $n_{h}$ और $n_{e}$ क्रमशः प्रति इकाई आयतन में होल्स की संख्या और प्रति इकाई आयतन में इलेक्ट्रॉनों की संख्या हैं,निम्नलिखित में से कौन सा संबंध सत्य है?

$300 \ K$ पर शुद्ध सिलिकॉन क्रिस्टल में इलेक्ट्रॉन और होल की सांद्रता समान $1.5 \times 10^{16} \ m^{-3}$ है। इंडियम द्वारा डोपिंग करने पर $n_h = 4.5 \times 10^{22} \ m^{-3}$ हो जाती है। डोप्ड सिलिकॉन में $n_e$ का मान क्या होगा?

निम्नलिखित में से कौन सा कथन गलत है?

यदि $n_e$ और $v_d$ एक अर्धचालक में इलेक्ट्रॉनों की संख्या घनत्व और अनुगमन वेग (drift velocity) हैं,तो तापमान बढ़ाने पर क्या होता है?

$1\,cm^{2}$ क्षेत्रफल और $0.5\,mm$ मोटाई वाली $Ge$ क्रिस्टल प्लेट के विपरीत फलकों के बीच $2\,V$ का विभवांतर लगाया जाता है। यदि $Ge$ में इलेक्ट्रॉनों की सांद्रता $2 \times 10^{19}/m^{3}$ है और इलेक्ट्रॉनों तथा होलों की गतिशीलता क्रमशः $0.36\,m^{2}/(V\cdot s)$ और $0.14\,m^{2}/(V\cdot s)$ है,तो प्लेट से प्रवाहित होने वाली धारा कितनी होगी ($,A$ में)?

जब एक $N-$ प्रकार के अर्धचालक (semiconductor) को गर्म किया जाता है,तो आवेश वाहकों (charge carriers) के साथ क्या होता है?