$PN-$ जंक्शन डायोड के दिए गए परिपथ के लिए,निम्नलिखित में से कौन सा कथन सही है?
- Aअग्र अभिनति (forward biasing) में,$R$ के सिरों पर वोल्टेज $V$ है।
- Bअग्र अभिनति (forward biasing) में,$R$ के सिरों पर वोल्टेज $2V$ है।
- Cपश्च अभिनति (reverse biasing) में,$R$ के सिरों पर वोल्टेज $V$ है।
- Dपश्च अभिनति (reverse biasing) में,$R$ के सिरों पर वोल्टेज $2V$ है।
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यदि एक डायोड में अग्र वोल्टेज (forward voltage) को बढ़ाया जाता है,तो अवक्षय परत (depletion region) की चौड़ाई $\qquad$ .
किसी $p-n$ जंक्शन डायोड में जो किसी परिपथ से नहीं जुड़ा है:
निम्नलिखित परिपथ पर विचार करें। इनपुट में दिया गया तरंग रूप चित्रानुसार है। यदि ${V_{B_1}}$ और ${V_{B_2}}$ इनपुट के शिखर मान से कम हैं,तो आउटपुट कैसा दिखेगा?
Difficult
View Solutionजब $P-N$ जंक्शन के $P$ सिरे को बैटरी के ऋणात्मक टर्मिनल से और $N$ सिरे को बैटरी के धनात्मक टर्मिनल से जोड़ा जाता है,तो $P-N$ जंक्शन किसके समान व्यवहार करता है?
Easy
View Solutionजब एक सिलिकॉन $PN$ जंक्शन श्रेणी प्रतिरोध के साथ फॉरवर्ड बायस स्थिति में होता है,तो इसका नी वोल्टेज (knee voltage) $0.6\, V$ होता है। जब $PN$ जंक्शन को $2.6\, V$ की बैटरी से जोड़ा जाता है,तो इसमें प्रवाहित होने वाली धारा $5\, mA$ होती है। श्रेणी प्रतिरोध का मान.....$\Omega$ है।
Easy
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