जब एक सिलिकॉन $PN$ जंक्शन श्रेणी प्रतिरोध के साथ फॉरवर्ड बायस स्थिति में होता है,तो इसका नी वोल्टेज (knee voltage) $0.6\, V$ होता है। जब $PN$ जंक्शन को $2.6\, V$ की बैटरी से जोड़ा जाता है,तो इसमें प्रवाहित होने वाली धारा $5\, mA$ होती है। श्रेणी प्रतिरोध का मान.....$\Omega$ है।

निम्नलिखित परिपथ में जंक्शन डायोड को अपने $I-V$ अभिलक्षणिक वक्र के नी पॉइंट $(0.7 \, V)$ से ऊपर रहने के लिए न्यूनतम $1 \, mA$ धारा की आवश्यकता होती है। नी पॉइंट से ऊपर डायोड के सिरों पर वोल्टेज धारा से स्वतंत्र है। यदि $V_B = 5 \, V$ है,तो $R$ का अधिकतम मान क्या होगा ताकि वोल्टेज नी पॉइंट से ऊपर रहे?

सिलिकॉन $P-N$ जंक्शन में फॉरवर्ड और रिवर्स बायस में आवेश वाहकों (charge carriers) की गति के लिए प्रमुख तंत्र क्या हैं?

रिवर्स बायस्ड $p-n$ जंक्शन की डिप्लीशन लेयर में,

अनबायस्ड $PN$ जंक्शन के डिप्लीशन ज़ोन (depletion zone) के संबंध में निम्नलिखित में से कौन सा/से कथन सत्य है/हैं?
$(A)$ ज़ोन की चौड़ाई डोपेंट्स (अशुद्धियों) के घनत्व से स्वतंत्र है।
$(B)$ ज़ोन की चौड़ाई डोपेंट्स के घनत्व पर निर्भर करती है।
$(C)$ ज़ोन में विद्युत क्षेत्र आयनित डोपेंट परमाणुओं द्वारा उत्पन्न होता है।
$(D)$ ज़ोन में विद्युत क्षेत्र कंडक्शन बैंड में इलेक्ट्रॉनों और वैलेंस बैंड में होल्स द्वारा प्रदान किया जाता है।

एक अनबायस्ड $p-n$ जंक्शन डायोड के जंक्शन के निकट के क्षेत्र को डिप्लीशन लेयर (अवक्षय परत) के रूप में जाना जाता है। यह परत किससे रिक्त होती है?