रिवर्स बायस्ड p-n जंक्शन की डिप्लीशन लेयर में | vedclass

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Question

(C) $p-n$ जंक्शन में,डिप्लीशन लेयर आवेश वाहकों के विसरण (diffusion) द्वारा बनती है,जो एक आंतरिक विद्युत क्षेत्र बनाती है जो आगे के विसरण का विरोध करता

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विद्युत क्षेत्र अधिकतम होता है।

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(C) $p-n$ जंक्शन में,डिप्लीशन लेयर आवेश वाहकों के विसरण (diffusion) द्वारा बनती है,जो एक आंतरिक विद्युत क्षेत्र बनाती है जो आगे के विसरण का विरोध करता है। जब रिवर्स बायस लगाया जाता है,तो बाहरी वोल्टेज बिल्ट-इन विभव अवरोध में जुड़ जाता है,जिससे डिप्लीशन लेयर की चौड़ाई बढ़ जाती है। चूंकि रिवर्स बायस के कारण डिप्लीशन लेयर के पार विभवांतर काफी बढ़ जाता है और परत की चौड़ाई भी बढ़ जाती है,इसलिए डिप्लीशन क्षेत्र के भीतर विद्युत क्षेत्र $(E = -dV/dx)$ अनबायस्ड स्थिति की तुलना में बहुत अधिक (अधिकतम) हो जाता है। इसलिए,रिवर्स बायस्ड $p-n$ जंक्शन की डिप्लीशन लेयर में विद्युत क्षेत्र अधिकतम होता है।

रिवर्स बायस्ड $p-n$ जंक्शन की डिप्लीशन लेयर में,

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