આયનોની હેક્સાગોનલ ક્લોઝ પેક્ડ ગોઠવણીને કેવી રીતે વર્ણવવામાં આવે છે?

ફલક-કેન્દ્રિત ઘન $(FCC)$ રચનામાં પરમાણુઓ દ્વારા કુલ કદનો .... ભાગ રોકાયેલો હોય છે. ($a =$ ધારીની લંબાઈ)

તત્ત્વ $B$ ના પરમાણુઓ $ccp$ લેટિસ રચે છે અને તત્ત્વ $A$ ના પરમાણુઓ સમચતુષ્ફલકીય છિદ્રોના $\frac{1}{2}$ ભાગ રોકે છે. તત્ત્વ $A$ અને $B$ દ્વારા રચાતા સંયોજનનું સૂત્ર શું છે?

જો $AB$ એ ઝિંક બ્લેન્ડ બંધારણમાં સ્ફટિકીકરણ પામે છે જેમાં $B^{-}$ આયનો લેટીસ બિંદુઓ પર હોય,તો કેટલા ટકા ટેટ્રાહેડ્રલ વોઇડ્સ $A^{+}$ આયનો દ્વારા રોકાયેલા હશે? ............... $\%$

$AB_2O_4$ સૂત્ર ધરાવતા સ્ફટિકમય ઘનમાં ઑક્સાઈડ આયનો ક્યુબિક ક્લોઝ-પૅક $(CCP)$ લેટિસમાં ગોઠવાયેલા છે,જ્યારે ધન આયનો $A$ સમચતુષ્કલકીય છિદ્રોમાં અને ધન આયનો $B$ અષ્ટફલકીય છિદ્રોમાં હાજર છે. $A$ અને $B$ દ્વારા રોકાયેલા સમચતુષ્કલકીય અને અષ્ટફલકીય છિદ્રોનું ટકાવાર પ્રમાણ અનુક્રમે કેટલું થાય?

ખાલી જગ્યા પૂરો:
$(a)$ $ccp$ રચનામાં $a = \dots \dots r$.
$(b)$ $hcp$ રચનામાં સંકુલન ક્ષમતા $= \dots \dots \%$.
$(c)$ $bcc$ રચનામાં પૅકિંગ ક્ષમતાના ટકા $= \dots \dots \%$.