गलत कथन की पहचान करें।

  • A
    जब एक $p-n$ जंक्शन डायोड फॉरवर्ड बायस में होता है,तो डिप्लेशन क्षेत्र की चौड़ाई कम हो जाती है।
  • B
    जब एक $p-n$ जंक्शन डायोड रिवर्स बायस में होता है,तो बैरियर विभव बढ़ जाता है।
  • C
    फोटोडायोड को रिवर्स बायस में संचालित किया जाता है।
  • D
    $LED$ एक हल्के डोप किए गए $p-n$ जंक्शन डायोड है जो फॉरवर्ड बायसिंग पर स्वतःस्फूर्त विकिरण उत्सर्जित करता है।

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बैंगनी (तरंगदैर्ध्य $= 4000 \, \mathring{A}$) $LED$ उत्पन्न करने के लिए आवश्यक अर्धचालक पदार्थ का ऊर्जा बैंड अंतराल $....... \, \text{eV}$ है। (निकटतम पूर्णांक में पूर्णांकित करें)।

फोटोडायोड $2.0\, eV$ के बैंड गैप वाले पदार्थ से बना है। पदार्थ द्वारा अवशोषित की जा सकने वाली विकिरण की न्यूनतम आवृत्ति लगभग कितनी है?

Difficult
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$LED$ की अधिकतम रेटेड शक्ति $2 \text{ mW}$ है और इसे नीचे दिए गए चित्र में दिखाए अनुसार $5 \text{ V}$ के इनपुट वोल्टेज के साथ सर्किट में उपयोग किया जाता है। प्रतिरोध $R$ से गुजरने वाली धारा $0.5 \text{ mA}$ है। यह सुनिश्चित करने के लिए कि $LED$ क्षतिग्रस्त न हो, प्रतिरोध $R_S$ का न्यूनतम मान . . . . . . $\text{k}\Omega$ है।

एक $p-n$ जंक्शन सोलर सेल में,मोनोक्रोमैटिक प्रकाश द्वारा उत्पन्न फोटो-इलेक्ट्रोमोटिव बल का मान किसके समानुपाती होता है?

कौन सी अर्धचालक युक्ति विद्युत-ऊर्जा को प्रकाश में परिवर्तित करती है?

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