જો $p-n$ જંકશન ડાયોડ રિવર્સ બાયસમાં હોય,તો:

જ્યારે $p-n$ જંકશન પર વોલ્ટેજ $V$ લાગુ કરવામાં આવે ત્યારે તેમાંથી પસાર થતો પ્રવાહ $I = I_0 \left( e^{\frac{V}{2 V_T}} - 1 \right)$ દ્વારા આપવામાં આવે છે, જ્યાં $I_0$ અને $V_T$ અચળાંકો છે. જો $r_d(I)$ એ જંકશનનો ડાયનેમિક અવરોધ હોય, તો $r_d(1000 I_0) = \alpha r_d(10 I_0)$, જ્યાં $\alpha$ આશરે કોના બરાબર છે?

નીચેનામાંથી કયું રિવર્સ-બાયસ્ડ (reverse-biased) છે?

જ્યારે $P-N$ જંકશન ફૉરવર્ડ બાયસમાં હોય ત્યારે ડેપ્લેશન વિસ્તાર અને પોટૅન્શિયલ બેરિયર પર શું અસર થાય છે?

$2 \text{ V}$ ની બેટરી એક ડાયોડને ફોરવર્ડ બાયસમાં જોડેલ છે. ડાયોડમાં $0.5 \text{ V}$ જેટલો વોલ્ટેજ ડ્રોપ થાય છે,જે તેમાંથી વહેતા પ્રવાહથી સ્વતંત્ર છે. $10 \text{ mA}$ કરતા વધારે પ્રવાહ ડાયોડમાં વધુ ગરમી ઉત્પન્ન કરે છે અને તેને નુકસાન પહોંચાડે છે. જો ડાયોડમાં $5 \text{ mA}$ પ્રવાહની જરૂર હોય,તો પરિપથમાં કેટલો શ્રેણી અવરોધ જોડવો જોઈએ?

આપેલ પરિપથમાં, લોડ અવરોધ $(R_L)$ પરનો વોલ્ટેજ કેટલો છે ($V$ માં)?