यदि $p-n$ जंक्शन डायोड रिवर्स बायस में है,तो:

  • A
    विभव प्राचीर (potential barrier) घटता है।
  • B
    अवक्षय परत (depletion layer) की चौड़ाई घटती है।
  • C
    विद्युत चालन संभव है।
  • D
    अवक्षय परत (depletion layer) की चौड़ाई बढ़ती है।

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दी गई आकृति में,एक डायोड $D$ को एक बाहरी प्रतिरोध $R = 100 \,\Omega$ और $3.5 \,V$ के $e.m.f.$ से जोड़ा गया है। यदि डायोड के सिरों पर विकसित अवरोध विभव (barrier potential) $0.5 \,V$ है,तो परिपथ में धारा ........ $mA$ होगी।

रिवर्स बायस्ड $p-n$ जंक्शन की डिप्लीशन लेयर में,

चित्र में दो आरेख दिखाए गए हैं जिनमें एक डायोड और एक प्रतिरोध जुड़ा हुआ है। निम्नलिखित कथनों में से कौन सा सत्य है?

गैर-ओमीय प्रतिरोध का उदाहरण है

$P-N$ जंक्शन के फॉरवर्ड बायस प्रतिरोध और रिवर्स बायस प्रतिरोध का अनुपात लगभग ....... है।

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