यदि एक p-n जंक्शन डायोड फॉरवर्ड बायस्ड है,तो: | vedclass

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Question

(B) जब एक $p-n$ जंक्शन डायोड को फॉरवर्ड बायस किया जाता है,तो बाहरी बैटरी का धनात्मक टर्मिनल $p$-साइड से और ऋणात्मक टर्मिनल $n$-साइड से जुड़ा होता है।य

Vedclass · Accepted Answer

अवक्षय परत (depletion layer) की चौड़ाई कम हो जाती है।

Vedclass · Answer

(B) जब एक $p-n$ जंक्शन डायोड को फॉरवर्ड बायस किया जाता है,तो बाहरी बैटरी का धनात्मक टर्मिनल $p$-साइड से और ऋणात्मक टर्मिनल $n$-साइड से जुड़ा होता है।यह विन्यास $p$-क्षेत्र में होल्स और $n$-क्षेत्र में इलेक्ट्रॉनों को जंक्शन की ओर धकेलता है।परिणामस्वरूप,बहुसंख्यक आवेश वाहक (majority charge carriers) जंक्शन की ओर बढ़ते हैं,जिससे अवक्षय परत (depletion layer) की चौड़ाई प्रभावी रूप से कम हो जाती है।इसके परिणामस्वरूप,विभव प्राचीर (potential barrier) की ऊँचाई कम हो जाती है,जिससे डायोड के माध्यम से विद्युत धारा आसानी से प्रवाहित हो सकती है।

यदि एक $p-n$ जंक्शन डायोड फॉरवर्ड बायस्ड है,तो:

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अवक्षय परत (depletion layer) क्या है? इसकी मोटाई की कोटि क्या है?

चित्र में दिखाए गए $P-N$ जंक्शन डायोड के लिए कौन सा विकल्प सही है?

यदि $p-n$ जंक्शन डायोड अनबायस्ड (unbiased) है,तो:

एक फॉरवर्ड-बायस्ड $P-N$ जंक्शन डायोड में,विभव प्राचीर (potential barrier) का व्यवहार कैसा होता है?

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