एक फॉरवर्ड-बायस्ड $P-N$ जंक्शन डायोड में,विभव प्राचीर (potential barrier) का व्यवहार कैसा होता है?

तीन समान p-n जंक्शन डायोड $D_1$, $D_2$ और $D_3$ को चित्र में दिखाए अनुसार एक बैटरी से जोड़ा गया है। यदि $D_1$, $D_2$ और $D_3$ के अवक्षय परतों (depletion regions) की चौड़ाई क्रमशः $W_1$, $W_2$ और $W_3$ है, तो सही विकल्प है:

$p-n$ जंक्शन के लिए,विद्युत क्षेत्र की तीव्रता $1 \times 10^{6} \text{ V/m}$ है और अवक्षय परत (depletion region) की चौड़ाई $5000 \text{ Å}$ है। विभव प्राचीर (potential barrier) का मान $\dots \text{ V}$ है।

जंक्शन डायोड को आदर्श मानिए। $AB$ से प्रवाहित होने वाली धारा का मान है

अग्र अभिनति (forward bias) में,$P-N$ जंक्शन डायोड में विभव प्राचीर (potential barrier) की चौड़ाई:

$D_1$ और $D_2$ दो आदर्श डायोड हैं। $i_1$ और $i_2$ के मान ज्ञात कीजिए।