अग्र अभिनति (forward bias) में,P-N जंक्शन डाय | vedclass

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Question

(B) $P-N$ जंक्शन डायोड में,जब अग्र अभिनति (forward bias) लागू की जाती है,तो बैटरी का धनात्मक सिरा $P$-क्षेत्र से और ऋणात्मक सिरा $N$-क्षेत्र से जुड़ा

Vedclass · Accepted Answer

घटती है

Vedclass · Answer

(B) $P-N$ जंक्शन डायोड में,जब अग्र अभिनति (forward bias) लागू की जाती है,तो बैटरी का धनात्मक सिरा $P$-क्षेत्र से और ऋणात्मक सिरा $N$-क्षेत्र से जुड़ा होता है।यह बाहरी विद्युत क्षेत्र अवक्षय परत (depletion layer) के आंतरिक विद्युत क्षेत्र का विरोध करता है।परिणामस्वरूप,बहुसंख्यक आवेश वाहक जंक्शन की ओर धकेले जाते हैं,जिससे अवक्षय परत की चौड़ाई कम हो जाती है।अतः,विभव प्राचीर की चौड़ाई घट जाती है।

स्थिति	$V$	$I$
फॉरवर्ड बायसिंग	$2.0 \, V$	$60 \, mA$
फॉरवर्ड बायसिंग	$2.4 \, V$	$80 \, mA$
रिवर्स बायसिंग	$0 \, V$	$0 \, \mu A$
रिवर्स बायसिंग	$-2 \, V$	$-0.25 \, \mu A$

अग्र अभिनति (forward bias) में,$P-N$ जंक्शन डायोड में विभव प्राचीर (potential barrier) की चौड़ाई:

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दिए गए परिपथ में,यदि डायोड के लिए फॉरवर्ड वोल्टेज ड्रॉप $0.5\, V$ है,तो धारा.........$mA$ होगी।

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