જો એક સેમિકન્ડક્ટર ફોટોડાયોડ $400\, nm$ ની મહત્તમ તરંગલંબાઇ ધરાવતા ફોટોનને શોધી શકતું હોય, તો તેની બેન્ડ ગેપ ઉર્જા કેટલી હશે ($ eV$ માં)? (આપેલ છે: પ્લાન્કનો અચળાંક $h = 6.63 \times 10^{-34}\, J \cdot s$, પ્રકાશની ઝડપ $c = 3 \times 10^{8}\, m/s$)

  • A
    $2.0$
  • B
    $1.5$
  • C
    $3.1$
  • D
    $1.1$

Explore More

Similar Questions

વિધાન : ડાયોડ લેસરનો ઉપયોગ ઓપ્ટિકલ કોમ્યુનિકેશનમાં ઓપ્ટિકલ સ્ત્રોત તરીકે થાય છે.
કારણ : ડાયોડ લેસર ઓછી ઉર્જા વાપરે છે.

$LED$ એ એક $p-n$ જંકશન ડાયોડ છે જે

ફોટોડાયોડમાં ફોટોકરંટ શેના પર આધાર રાખે છે?

જ્યારે $LED$ નું ઉત્પાદન એલ્યુમિનિયમ ગેલિયમ આર્સેનાઇડ $(AlGaAs)$ નો ઉપયોગ કરીને કરવામાં આવે છે,ત્યારે તે શું ઉત્સર્જિત કરે છે?

ઓપ્ટિકલ ફાઇબર કોમ્યુનિકેશનમાં, $APD$ સેમિકન્ડક્ટરનો ઉપયોગ શેના માટે થાય છે?

Vedclass Products

For Students

Vedclass Test Series

Mock tests in real JEE/NEET style with performance analysis. 5-day free trial.

Start Free Trial
For Teachers

Exam Paper Generator

Generate Set A/B/C/D exam papers from 7.5L+ questions in 2 minutes. 3 chapters free.

Try Free
For Institutes

Online Exam Module

Live online exams with unlimited students, 360° analytics & white-label branding.

See Demo