જો ફોટોઈલેક્ટ્રિક અસરના પ્રયોગમાં પ્રકાશની તરંગલંબાઈ $60\%$ ઘટાડવામાં આવે,તો $K_{max}$ $5\,eV$ થી બદલાઈને $17\,eV$ થાય છે. ધાતુનું વર્ક ફંક્શન ............. $eV$ છે.

$4000\, \mathring{A}$ તરંગલંબાઈ ધરાવતા ઉદગમને $10\, \text{cm}$ ના અંતરે રાખતા સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ $1.5\, \text{V}$ મળે છે. જો હવે ઉદગમનું અંતર વધારીને $20\, \text{cm}$ કરવામાં આવે,તો સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ ............... $\text{V}$ થશે.

ફોટોઈલેક્ટ્રિક પ્રયોગમાં,$2.48 eV$ ઉર્જા ધરાવતો પ્રકાશ એક ફોટોસેન્સિટિવ પદાર્થ પર આપાત થાય છે. સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ $0.5 V$ માપવામાં આવ્યું હતું. ફોટોસેન્સિટિવ પદાર્થનું વર્ક ફંક્શન કેટલું હશે ($eV$ માં)?

$300 \ nm$ તરંગલંબાઈ અને $100 \ W \ m^{-2}$ તીવ્રતા ધરાવતું વિકિરણ એક ફોટોસેન્સિટિવ સપાટી પર પડે છે. જો આપાત ફોટોનમાંથી $2 \%$ ફોટોઈલેક્ટ્રોન ઉત્પન્ન કરતા હોય,તો સપાટીના $2 \ cm^2$ ક્ષેત્રફળમાંથી પ્રતિ સેકન્ડ ઉત્સર્જિત થતા ફોટોઈલેક્ટ્રોનની સંખ્યા આશરે કેટલી હશે?

$5000 \; \mathring A$ તરંગલંબાઈ ધરાવતો પ્રકાશ $1.9 \; eV$ વર્ક ફંક્શન ધરાવતી ફોટોસેન્સિટિવ પ્લેટ પર આપાત થાય છે. ઉત્સર્જિત ફોટોઈલેક્ટ્રોનની ગતિઊર્જા ............ $eV$ હશે.

ફોટોઈલેક્ટ્રિક અસરના પ્રયોગમાં,$f$ એ ધાતુની સપાટી પર આપાત થતા વિકિરણોની આવૃત્તિ છે અને $I$ એ આપાત વિકિરણોની તીવ્રતા છે. નીચેના વિધાનો ધ્યાનમાં લો. કયા વિધાનો સાચા છે?
$(A)$ જો $I$ અને વર્ક ફંક્શન અચળ રાખીને $f$ વધારવામાં આવે,તો ફોટોઈલેક્ટ્રોનની મહત્તમ ગતિઊર્જા વધે છે.
$(B)$ જો કેથોડ અને એનોડ વચ્ચેનું અંતર વધારવામાં આવે,તો સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ વધે છે.
$(C)$ જો $f$ અને વર્ક ફંક્શન અચળ રાખીને $I$ વધારવામાં આવે,તો સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ સમાન રહે છે અને સેચ્યુરેશન કરંટ વધે છે.
$(D)$ જો $f$ અને $I$ અચળ રાખીને વર્ક ફંક્શન ઘટાડવામાં આવે,તો સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ વધે છે.