$300 \ nm$ તરંગલંબાઈ અને $100 \ W \ m^{-2}$ તીવ્રતા ધરાવતું વિકિરણ એક ફોટોસેન્સિટિવ સપાટી પર પડે છે. જો આપાત ફોટોનમાંથી $2 \%$ ફોટોઈલેક્ટ્રોન ઉત્પન્ન કરતા હોય,તો સપાટીના $2 \ cm^2$ ક્ષેત્રફળમાંથી પ્રતિ સેકન્ડ ઉત્સર્જિત થતા ફોટોઈલેક્ટ્રોનની સંખ્યા આશરે કેટલી હશે?

તરંગલંબાઈ $\lambda$ ધરાવતો પ્રકાશ $\phi$ વર્ક ફંક્શન ધરાવતી ધાતુની સપાટી પર આપાત થાય છે અને ઇલેક્ટ્રોનનું ઉત્સર્જન કરે છે. ઉત્સર્જિત ઇલેક્ટ્રોનનો મહત્તમ વેગ કેટલો હશે? [આપેલ છે: $m=$ ઇલેક્ટ્રોનનું દળ,$h=$ પ્લાન્કનો અચળાંક,$c=$ પ્રકાશનો વેગ]

$1\, cm$ ત્રિજ્યા અને $4.47\, eV$ વર્ક ફંક્શન ધરાવતા તાંબાના ગોળા પર $2500\, \mathring{A}$ તરંગલંબાઇ ધરાવતા અલ્ટ્રાવાયોલેટ વિકિરણો આપાત કરવામાં આવે છે. આ વિકિરણની અસરને કારણે ગોળામાંથી ઇલેક્ટ્રોનનું ઉત્સર્જન થાય છે. આથી ગોળો વીજભારિત થાય છે અને તેના પર એક નિશ્ચિત પોટેન્શિયલ ઉદભવે છે. ગોળા પરનો વીજભાર શોધો:

એક ધાતુ માટે ફોટોઈલેક્ટ્રિક અસરની થ્રેશોલ્ડ તરંગલંબાઈ $6500 \mathring{A}$ છે. ધાતુનું વર્ક ફંક્શન આશરે .......... $eV$ છે.

આપાત ફોટોન તરંગલંબાઈ $\lambda$ સાથેના ફોટોઈલેક્ટ્રિક અસર માટે,સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ $V_0$ છે. $V_0$ નો $\lambda$ અને $1/\lambda$ સાથેનો સાચો ફેરફાર ઓળખો.

$\lambda$ તરંગલંબાઈ ધરાવતો એકવર્ણી પ્રકાશ $2.4 \text{ eV}$ વર્ક ફંક્શન $(\phi)$ ધરાવતી ધાતુની સપાટી પરથી ફોટોઈલેક્ટ્રોન ઉત્સર્જિત કરે છે. આ ફોટોઈલેક્ટ્રોનને ગ્રાઉન્ડ સ્ટેટમાં રહેલા હાઈડ્રોજન પરમાણુઓ સાથે અથડાવવામાં આવે છે. $\lambda$ નું મહત્તમ મૂલ્ય શોધો જેના માટે હાઈડ્રોજન પરમાણુનું આયનીકરણ થઈ શકે [લો, $hc = 1240 \text{ eV-nm}$]. ($\text{ nm}$ માં)