$1\, cm$ ત્રિજ્યા અને $4.47\, eV$ વર્ક ફંક્શન ધરાવતા તાંબાના ગોળા પર $2500\, \mathring{A}$ તરંગલંબાઇ ધરાવતા અલ્ટ્રાવાયોલેટ વિકિરણો આપાત કરવામાં આવે છે. આ વિકિરણની અસરને કારણે ગોળામાંથી ઇલેક્ટ્રોનનું ઉત્સર્જન થાય છે. આથી ગોળો વીજભારિત થાય છે અને તેના પર એક નિશ્ચિત પોટેન્શિયલ ઉદભવે છે. ગોળા પરનો વીજભાર શોધો:

ફોટોઈલેક્ટ્રિક અસરમાં ઉત્સર્જિત ઈલેક્ટ્રોનની મહત્તમ ગતિઊર્જા $(E_{k})$ નો આપાત પ્રકાશની આવૃત્તિ $(\nu)$ સાથેનો ફેરફાર નીચેનામાંથી કયો આલેખ યોગ્ય રીતે દર્શાવે છે?

$6.4 \times 10^{-5} \; W/cm^{2}$ તીવ્રતા ધરાવતા વિદ્યુતચુંબકીય વિકિરણના કિરણપુંજની તરંગલંબાઈ $\lambda = 310 \; nm$ છે. તે $1 \; cm^{2}$ ક્ષેત્રફળ ધરાવતી ધાતુની સપાટી (વર્ક ફંક્શન $\varphi = 2 \; eV$) પર લંબરૂપે આપાત થાય છે. જો દર $10^{3}$ ફોટોન દીઠ એક ફોટોન ઇલેક્ટ્રોનનું ઉત્સર્જન કરતું હોય, તો $1 \; s$ માં ઉત્સર્જિત થતા ઇલેક્ટ્રોનની કુલ સંખ્યા $10^{x}$ છે. તો $x$ નું મૂલ્ય શોધો. $(hc = 1240 \; eV \cdot nm, 1 \; eV = 1.6 \times 10^{-19} \; J)$

પદાર્થ $A$ માં ફોટોઈલેક્ટ્રિક અસર જોવા મળે છે. તેનું કાર્ય વિધેય $2.5 \ eV$ છે અને થ્રેસોલ્ડ તરંગલંબાઈ $\lambda$ છે. અન્ય પદાર્થ $B$ નું કાર્ય વિધેય $5 \ eV$ છે. $B$ માં ફોટોઈલેક્ટ્રિક અસર ઉત્પન્ન કરવા માટે જરૂરી થ્રેસોલ્ડ તરંગલંબાઈ શોધો.

$P.E.E.$ ના પ્રયોગમાં,ઇલેક્ટ્રોનનો $KE_{max}$ એ $K_0$ છે. જો આવૃત્તિને $n_1$ ના ગુણાંકમાં વધારવામાં આવે,તો $KE_{max}$ એ $n_2K_0$ થાય છે. વર્ક ફંક્શન શોધો.

ટંગસ્ટનની થ્રેશોલ્ડ તરંગલંબાઇ $2300 \, \mathring{A}$ છે. જો તેના પર $1800 \, \mathring{A}$ તરંગલંબાઇનો પારજાંબલી પ્રકાશ આપાત કરવામાં આવે,તો ફોટોઇલેક્ટ્રોનની મહત્તમ ગતિઊર્જા આશરે ............ $eV$ હશે.