ફોટોઈલેક્ટ્રિક અસરમાં ઉત્સર્જિત ઈલેક્ટ્રોનની મહત્તમ ગતિઊર્જા $(E_{k})$ નો આપાત પ્રકાશની આવૃત્તિ $(\nu)$ સાથેનો ફેરફાર નીચેનામાંથી કયો આલેખ યોગ્ય રીતે દર્શાવે છે?

$1.13 eV$ વર્ક ફંક્શન ધરાવતી ધાતુની સપાટી પર $310 nm$ તરંગલંબાઇનો પ્રકાશ આપાત કરવામાં આવે છે. ફોટોઇલેક્ટ્રોનને ઉત્સર્જિત થતા અટકાવવા માટે જરૂરી રિટાર્ડિંગ પોટેન્શિયલ (સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ) કેટલું હશે ($V$ માં)? [$hc = 1240 eV \cdot nm$ લો]

ફોટોઈલેક્ટ્રિક પ્રયોગમાં, $y$-અક્ષ પર સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ $(V_s)$ અને $x$-અક્ષ પર આપાત વિકિરણની આવૃત્તિ $(\nu)$ વચ્ચે દોરેલા આલેખનો ઢાળ કેટલો હશે? (પ્લાન્કનો અચળાંક $h = 6.6 \times 10^{-34} \text{ Js}$)

શરૂઆતમાં $\lambda_1$ તરંગલંબાઈ ધરાવતો ફોટોન ફોટોકેથોડ પર આપાત થાય છે અને $E_1$ મહત્તમ ઉર્જા ધરાવતો ઇલેક્ટ્રોન ઉત્સર્જિત કરે છે. જો આપાત ફોટોનની તરંગલંબાઈ બદલીને $\lambda_2$ કરવામાં આવે,તો ઉત્સર્જિત ઇલેક્ટ્રોનની મહત્તમ ઉર્જા $E_2$ થાય છે. તો $hc$ ($h=$ પ્લાન્કનો અચળાંક,$c=$ પ્રકાશનો વેગ) નું મૂલ્ય શું હશે?

એક ફોટો-એમિસિવ સેલમાં ઉત્તેજક તરંગલંબાઈ $\lambda$ હોય ત્યારે સૌથી ઝડપી ઇલેક્ટ્રોનની ઝડપ $v$ છે. જો ઉત્તેજક તરંગલંબાઈ બદલીને $\frac{3\lambda}{4}$ કરવામાં આવે,તો સૌથી ઝડપી ઉત્સર્જિત ઇલેક્ટ્રોનની ઝડપ કેટલી હશે?

જ્યારે પ્રકાશના સ્ત્રોતને ફોટોસેલથી $20 \ cm$ દૂર રાખવામાં આવે છે,ત્યારે $0.6 \ V$ નું સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ મળે છે. જ્યારે સ્ત્રોતને $40 \ cm$ દૂર રાખવામાં આવે,ત્યારે સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ .......... $V$ હશે.