यदि सेल का आंतरिक प्रतिरोध नगण्य है,तो परिपथ | vedclass

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Question

(D) दिए गए परिपथ में,डायोड $D_1$ अग्र-अभिनत (forward-biased) है क्योंकि इसका p-सिरा बैटरी के धनात्मक टर्मिनल से जुड़ा है। डायोड $D_2$ पश्च-अभिनत (reve

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(D) दिए गए परिपथ में,डायोड $D_1$ अग्र-अभिनत (forward-biased) है क्योंकि इसका p-सिरा बैटरी के धनात्मक टर्मिनल से जुड़ा है। डायोड $D_2$ पश्च-अभिनत (reverse-biased) है क्योंकि इसका p-सिरा बैटरी के ऋणात्मक टर्मिनल से जुड़ा है।इसलिए,$D_2$ वाली शाखा से कोई धारा प्रवाहित नहीं होती है।परिपथ प्रभावी रूप से बैटरी $(5 \ V)$,प्रतिरोधक $(20 \ \Omega)$ और $D_1$ वाली शाखा जिसमें एक प्रतिरोधक $(30 \ \Omega)$ श्रेणीक्रम में है,से बना है।परिपथ का कुल प्रतिरोध $R_{eq} = 20 \ \Omega + 30 \ \Omega = 50 \ \Omega$ है।ओम के नियम का उपयोग करते हुए,परिपथ में प्रवाहित धारा $I = \frac{V}{R_{eq}} = \frac{5 \ V}{50 \ \Omega} = 0.1 \ A$ है।

यदि सेल का आंतरिक प्रतिरोध नगण्य है,तो परिपथ में प्रवाहित होने वाली धारा है: ($A$ में)

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चित्र में दिखाए गए फॉरवर्ड बायस्ड डायोड अभिलक्षणों के लिए,$I_{D} = 3 \, \text{mA}$ पर डायनेमिक प्रतिरोध $..... \, \Omega$ होगा।

जब एक $p-n$ जंक्शन डायोड को रिवर्स बायस किया जाता है,तो अवक्षय परत (depletion layer) की चौड़ाई

$D_1$ और $D_2$ दो आदर्श डायोड हैं। $i_1$ और $i_2$ के मान ज्ञात कीजिए।

$p-n$ जंक्शन को जोड़ने की विधियाँ बताइए।

अवक्षय परत (depletion layer) का विद्युत प्रतिरोध अधिक होता है क्योंकि

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