चित्र में दिखाए गए फॉरवर्ड बायस्ड डायोड अभिलक्षणों के लिए,$I_{D} = 3 \, \text{mA}$ पर डायनेमिक प्रतिरोध $..... \, \Omega$ होगा।

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$621 \ nm$ तरंगदैर्ध्य के एकवर्णी प्रकाश में एक फोटॉन की ऊर्जा एक अर्धचालक पदार्थ के बैंड गैप से मेल खाती है। तो अर्धचालक से एक इलेक्ट्रॉन-होल युग्म बनाने के लिए आवश्यक न्यूनतम ऊर्जा है
[लें $hc = 1242 \ eV-nm$,जहाँ $h$ प्लांक नियतांक है और $c$ निर्वात में प्रकाश की गति है] ($eV$ में)

$P-N$ जंक्शन क्षेत्र में अवक्षय परत (depletion layer) किसके कारण बनती है?

$p-n$ जंक्शन डायोड के रिवर्स बायसिंग में,

निम्नलिखित में से कौन सा ग्राफ $P-N$ जंक्शन के लिए सही है? (जब $P-N$ जंक्शन फॉरवर्ड बायस में हो।)

एक $p-n$ जंक्शन डायोड को $5.7 \ V$ के emf वाली बैटरी के साथ $5 \ k\Omega$ के प्रतिरोधक के श्रेणीक्रम में इस प्रकार जोड़ा जाता है कि यह अग्र अभिनत (forward biased) हो। यदि डायोड का रोधिका विभव (barrier potential) $0.7 \ V$ है,और डायोड के प्रतिरोध को नगण्य माना जाए,तो परिपथ में धारा का मान क्या होगा?

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