$P-N$ जंक्शन क्षेत्र में अवक्षय परत (depletion layer) किसके कारण बनती है?

एक सिलिकॉन डायोड में अवक्षय परत (depletion layer) की चौड़ाई $1 \, \mu m$ है और नी विभव (knee potential) $0.6 \, V$ है, तो अवक्षय परत में विद्युत क्षेत्र होगा:

कथन $I :$ जब $Si$ के नमूने में बोरॉन मिलाया जाता है,तो यह $P$-प्रकार का बन जाता है और जब आर्सेनिक मिलाया जाता है,तो यह $N$-प्रकार का अर्धचालक बन जाता है,जिससे $P$-प्रकार में होल्स की अधिकता और $N$-प्रकार में इलेक्ट्रॉनों की अधिकता होती है।
कथन $II$ : जब ऐसे $P$-प्रकार और $N$-प्रकार के अर्धचालकों को जोड़कर एक जंक्शन बनाया जाता है,तो स्वतः ही एक विद्युत धारा प्रवाहित होती है जिसे बाहरी रूप से जुड़े एमीटर से पता लगाया जा सकता है।
उपरोक्त कथनों के प्रकाश में,नीचे दिए गए विकल्पों में से सबसे उपयुक्त उत्तर चुनें।

गैर-ओमीय प्रतिरोध का उदाहरण है

$p$-$n$ जंक्शन डायोड के डायनेमिक प्रतिरोध के मापन के लिए कौन सा डायोड सर्किट सही बायसिंग दर्शाता है?

एक $P-N$ जंक्शन डायोड $10 \ mA$ की धारा के साथ फॉरवर्ड बायस स्थिति में है। डायोड के सिरों पर विभव पतन (potential drop) $0.5 \ V$ है। यह मानते हुए कि धारा विभव से स्वतंत्र है,इस फॉरवर्ड बायस स्थिति को बनाए रखने के लिए $200 \ \Omega$ के प्रतिरोधक के साथ श्रेणीक्रम में जुड़ी बैटरी का अधिकतम वोल्टेज कितना होगा? (in $V$)